模拟CMOS集成电路设计_ch1_2.ppt

CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
6/26/2017
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提纲
1、绪论
2、MOS器件物理基础
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提纲
1、绪论
先修课程:模拟电路基础、器件模型、集成电路原理
教材:
模拟CMOS集成电路设计,[美],陈贵灿程军张瑞智等译,西安交通大学出版社。
参考教材:
CMOS模拟电路设计(第二版)(英文版),[美] Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg 著,电子工业出版社。
模拟集成电路的分析与设计,Paul R. Gray, Paul J. Hurst,Stephen H. Lewis,Robert G. Meyer著,高等教育出版社。
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绪论
研究模拟集成电路的重要性
研究CMOS模拟集成电路的重要性
Eggshell Analogy of Analog IC Design (Paul Gray)
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绪论
Systems
Circuits
Devices
chapter1绪论
chapter3单级放大器
chapter4差动放大器
chapter5电流源
chapter6频率特性
chapter7噪声
chapter8反馈
chapter9运算放大器
chapter10稳定性及频率补偿
chapter11带隙基准
chapter12开关电容电路
chapter2 MOS器件物理
chapter14振荡器
PLL
AD/DA
Chapter13非线性与不匹配
simple
complex
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绪论
2、MOS器件物理基础
基本概念
MOSFET的结构
栅(G: gate)、源(S: source)、漏(D: drain)、衬底(B: bulk)
(以n型为例)
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MOS器件物理基础
MOSFET是一个四端器件
N阱
CMOS技术
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MOS器件物理基础
MOS符号
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MOS器件物理基础
MOS的I/V特性
阈值电压(以N型FET为例)
耗尽(b);反型开始(c);反型(d)
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MOS器件物理基础
ΦMS是多晶硅栅和硅衬底的功函数之差;
q是电子电荷,Nsub是衬底掺杂浓度,Qdep是耗尽区电荷,Cox是单位面积的栅氧化层电容;
εsi表示硅介电常数。
阈值电压(VTH)定义
NFET的VTH通常定义为界面的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅压。
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MOS器件物理基础