该【铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究 】是由【niuwk】上传分享，文档一共【3】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究摘要:铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜是一种具有潜在应用前景的材料,具有磁性和半导体性能的双重特性。本文主要研究了铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长方法和其性能特点。实验结果表明,通过溶液法或磁控溅射法制备的铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜具有良好的晶体结构,呈现出优异的磁性和半导体特性。此外,我们还对其磁性和电学性能进行了详细研究,并探讨了影响这些性能的因素。本研究对铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的应用提供了重要的理论和实验基础。关键词:铁掺杂氧化铟;铁磁性半导体;薄膜生长;性能特点;,人们对具有磁性和半导体性能的新材料的需求越来越迫切。铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜由于其特殊的物理性质和潜在的应用前景而引起了广泛关注。铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜结构独特,具有良好的磁性和半导体性能,因此在磁存储、磁传感器等领域具有重要的应用价值。。溶液法是将适量的铁离子掺入氧化铟溶液中,经过反应后得到铁掺杂氧化铟溶液。然后采用旋涂技术将溶液均匀涂布在基底上,并通过热处理使溶液中的铁离子在氧气氛下形成铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜。磁控溅射法是利用磁场将靶材中的铁原子打入氧化铟基底上,形成铁掺杂氧化铟薄膜。制备得到的薄膜样品通过X射线衍射仪、原子力显微镜、磁性测量系统和电学测试系统进行表征和性能测试。,我们发现溶液法和磁控溅射法得到的铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜均具有良好的晶体结构。溶液法制备的薄膜表现出较低的摩尔浓度,晶界清晰,晶体粒子较小。磁控溅射法制备的薄膜则呈现出较高的摩尔浓度,晶体颗粒较大。这些结构特点对铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的磁性性能和半导体性能具有重要影响。磁性测量结果表明,铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜表现出明显的铁磁性。随着铁掺杂浓度的增加,薄膜的饱和磁化强度和矫顽力增大,矫顽力项温度也逐渐提高。这些磁性特性使得铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜在磁存储和磁传感器领域具有广泛应用潜力。电学测试结果显示,铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜表现出半导体性质。随着铁掺杂浓度的增加,薄膜的导电性增强,电子迁移率逐渐增大。这些半导体特性为铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜在半导体电子器件领域的应用提供了有力支持。,并对其性能进行了详细研究。实验结果表明,铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜具有良好的晶体结构、优异的磁性和半导体性能。我们还发现铁掺杂浓度对薄膜的磁性和电学性能具有重要影响。在未来的研究中,我们将继续优化制备工艺,进一步提高铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的性能,并探索其在磁存储、磁传感器和半导体电子器件等领域的应用。参考文献:[1]-icsemiconductorfilms[J].JournalofAppliedPhysics,2010,108(5):053909.[2],-dopedindiumoxidefilms[J].JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2008,41(5):055003.[3]LiM,-dopedindiumoxidethinfilmsbyreactiveion-beamsputterdeposition[J].JournalofAppliedPhysics,2008,104(4):043904.[4],-dopedindiumoxide[J].PhysicalReviewB,2011,83(8):081301.
铁掺杂氧化铟铁磁性半导体薄膜的生长及性能研究 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.
