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随着现代电子科技的发展，低电量的电路设计已成为趋势之一。低压低噪声放大器 (LNA) 作为一种高灵敏度、低噪音、低功耗的器件，具有广泛的应用前景，例如在通信系统、无线射频、生物医学以及高速信号处理等领域。CMOS技术作为主流的集成电路工艺，其制作成本低廉、功耗低，同时也具有如此的优点，使其成为设计低功耗长续航的电路的重要核心技术之一。本文将综述CMOS工艺的低电压低噪声放大器的研究进展。
首先，介绍了LNA的基本原理和其设计指标，包括增益、带宽、输入/output 阻抗、器件噪声等等。其中，噪声是影响 LNA 性能的关键问题之一。由于CMOS工艺的缺陷，器件噪音成为限制器件性能的主要因素之一，因此研究如何进行噪声计算和噪声指标优化，才能取得更好 LNA 的设计结果。
接着，对CMOS技术发展的历史进行了简要介绍，指出 CMOS技术的开发和进化对LNA的发展有着不可或缺的推动作用。基于理解 CMOS工艺的特性，我们可以实现低噪声，高增益，以及较大的带宽。在CMOS工艺的基础上，通过采用高Q电感、电容和无源 RC 回路等方法，进一步改善 LNA 的性能，提高其增益、带宽、抗振动和抗干扰能力。
然后，综述了基于 CMOS 技术的 LNA设计方法，包括传统的具有模拟器件的前馈放大器技术，以及后台接收机设计技术和具有信号处理电路的前馈放大器技术的新型设计方法。传统的前馈放大器技术是 LNA 设计的基础，但是它常常遇到噪声、线性度和功耗等问题。而后台接收机技术和具有信号处理电路的前馈放大器技术则通过采用欧姆极低电平设计原理、抗干扰结构，以及设计可重构的放大器电路等方法，来克服上述问题，提高LNA的性能。
最后，文章指出了目前研究中存在的一些问题，包括如何提高设计的可靠性，如何提高 LNA 的噪声抑制能力，如何解决线性度、带宽等问题。这些问题是LNA研究应注意的方向，也是未来的研究重点。因此，高品质、高性能、低功耗、低噪声的 LNA的研究将成为CMOS技术发展的新方向。