g-C3N4纳米片保护的硅纳米线的制备及其光电催化性能.docx

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概述
随着能源和环境问题的日益突出，光催化技术作为一种新型、环保的催化技术，越来越受到人们的关注。其中，在催化剂的研究中，g-C3N4纳米片已经得到了广泛的应用。本文综述了g-C3N4纳米片保护的硅纳米线的制备方法及其光电催化性能。
制备方法
硅纳米线的制备主要有两种方法：一种是气相沉积法；另一种是液相沉积法。本论文采用了液相沉积法。具体步骤为：首先，以硅为原料，在含有聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和十二烷基苯磺酸钠（SDBS）的乙二醇/水溶液中进行的液相沉积反应制备硅纳米线。其次，将制备好的硅纳米线处理在含有g-C3N4纳米片的乙二醇/水溶液中。随后，在烘干和退火处理下，得到了g-C3N4纳米片保护的硅纳米线。最后，利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对纳米线进行了表征。
光电催化性能
g-C3N4纳米片保护的硅纳米线的光电催化性能得到了研究。结果表明，该纳米线在可见光下有良好的光催化活性。具体地，利用罗丹明B（RhB）作为模型反应物，以紫外光催化的纳米线为对照组，制备好的g-C3N4纳米片保护的硅纳米线的催化降解效果更好。同时，还探究了不同条件下的光电催化性能。结果表明，增加催化剂的用量可以提高催化效率；当溶液pH值为7时，催化效果最佳；随着催化时间的增加，降解效率不断提高。
结论
通过液相沉积法制备了g-C3N4纳米片保护的硅纳米线，并对其进行了光电催化性能研究。结果表明，该纳米线在可见光下有良好的光催化活性，并有望在污染物的治理中得到应用。