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半导体异质结
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演讲人姓名
202X
第九章 金属半导体和半导体异质结
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肖特基势垒二极管
金属半导体的欧姆接触
异质结
202X
肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管示意图
性质上的特征
金属和n型半导体接触前的平衡态能带图
金属
N型半导体
真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量
功函数：从费米能级到真空能级的能量差
电子亲和势：真空能级到价带底的能量差
1
金属的功函数
2
半导体的亲和势
3
半导体的功函数
4
基本概念
画能带图的步骤：
画出包括表面在内的各部分的能带图
使图沿垂直方向与公共的E0参考线对齐，并通过
公共界面把图连起来
不改变半导体界面能带的位置，向上或向下移动
半导体体内部分的能带，直到EF在各处的值相等
恰当地把界面处的Ec, Ei, Ev和体内Ec, Ev, Ei连接起来
去除不重要的
m>s
Figure
两个方向都存在电子流动的势垒
B0=m-
金属中的电子向半导体中运动存在势垒B0
叫做肖特基势垒。
半导体导带中的电子向金属中移动存在势垒Vbi ，Vbi就是半导体内的内建电势
01
外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二者之差等于外加电压引起的电势能之差。
02
金属一边的势垒不随外加电压而变，即：B0不变。
03
半导体一边，加正偏，势垒降低为Vbi-Va
04
反偏势垒变高为：Vbi+VR
正偏
反偏
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