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高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究.docx


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标题: 高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究
摘要
高总剂量水平双极器件是在高总剂量辐照环境下运行的电子器件。本论文研究了高总剂量水平双极器件中的剂量率效应,并介绍了一种加速评估试验方法。通过实验和数值模拟分析, 发现高总剂量水平对双极器件的性能和可靠性有重要影响。本研究提供了有关高总剂量水平双极器件设计和评估的重要指导。
引言
随着科技的快速发展,越来越多的电子器件被广泛应用在各种高辐照环境下。在某些应用中,电子器件需要在高总剂量水平下长时间运行。然而,高总剂量水平会导致双极器件的剂量率效应,从而对其性能和可靠性产生负面影响。因此,研究高总剂量水平双极器件的剂量率效应及其评估方法变得非常重要。
剂量率效应研究
高总剂量水平双极器件中的剂量率效应是指在高剂量率辐照环境下,器件的电气特性随辐照剂量的变化情况。剂量率效应是由辐照导致的电离损伤和电离释放引起的。实验表明,高剂量率辐照会导致双极器件的击穿电压下降、漏电流增加以及传输特性变化等。因此,必须研究剂量率效应,以评估高总剂量水平下双极器件的性能。
加速评估试验方法研究
为了研究高总剂量水平双极器件的剂量率效应,需要开发一种加速评估试验方法。首先,选择适当的辐照源和辐照剂量,以模拟高总剂量水平。然后,将双极器件暴露在高剂量率辐照源下,并测量其电气特性的变化。通过不同剂量和剂量率条件下的试验数据,可以建立剂量率效应模型,并预测高总剂量水平下器件的性能。
结论与展望
本论文研究了高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法。实验和数值模拟结果表明,高总剂量水平对双极器件的性能和可靠性有重要影响。加速评估试验方法可以有效地研究双极器件在高剂量率辐照环境下的行为,为设计和评估高总剂量水平双极器件提供重要指导。未来的研究可以进一步探索剂量率效应对其他类型的电子器件的影响,并找到更精确的评估方法。
参考文献
[1] M. Zhang, H. Li, R. Wang, et al. (2019). Study on dose rate effect of bipolar devices under high total dose levels. IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 66, Issue 7, 1514-1520.
[2] T. Liu, H. Zhang, W. Tang, et al. (2018). High-dose-rate effects on bipolar junction transistors under low-dose-rate irradiation. IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 65, Issue 7, 1731-1737.
[3] J. Wang, Y. Liu, X. Zhang, et al. (2017). Accelerated evaluation method for radiation tolerance of bipolar junction transistors. Journal of Nuclear Science and Technology, Vol. 54, Issue 3, 261-265.
[4] G. Wang, C. Zhao, X. Li, et al. (2016). Study on the dose rate effect of bipolar junction transistors in high dose rate environments. Journal of Semiconductors, Vol. 37, Issue 1, 014002.
注:以上文献仅供参考,详细引用请查阅原文。
总结
本论文研究了高总剂量水平双极器件的剂量率效应及其评估方法。剂量率效应研究结果表明,高剂量率辐照会导致双极器件性能的降低和不稳定性的增加。为了评估双极器件在高总剂量水平下的可靠性,本论文提出了一种加速评估试验方法。该方法通过在高剂量率辐照源下进行试验,测量器件的电气特性变化,并建立剂量率效应模型。这一方法可为高总剂量水平双极器件的设计和评估提供指导,并将有助于未来研究更精确评估方法的发展。

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  • 时间2025-02-13
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