带隙基准源设计
Based on BCD Process BandGap reference design
第一章概述
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)功率集成电路器件,通过MOS管的最高电压可达40V,最低为5V。
模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源,由于带隙基准电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很小,所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的基本模块,例如可应用于LDO或者电荷泵等。
基本的带隙基准源
第二章 BandGap电路设计
(含启动电路)
核心电路(含启动电路)
1
2
3
启动电路
运放电路
三级运放
通过运放,使整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,从而提高电源抑制比。
启动电路
保证运放正常工作,并提供偏置
整体电路
核心电路
启动电路
三级运放
此电路共计49个MOS管,5个三极管,8个电阻和1个电容
第三章仿真结果
SS
TT
FF
输出电压
输出电压仿真图
SS
TT
FF
PSRR
73dB
72dB
93dB
(PSRR)
电源抑制比仿真图
(TC)
SS
TT
FF
温度系数
/℃
/℃
/℃
温度系数仿真图
SS
TT
FF
功耗
功耗仿真图
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