1_4双极型半导体三极的特性曲线.ppt

双极型半导体三极管的特性曲线
这里,B表示输入电极,C表示输出电极,E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。
iB是输入电流,vBE是输入电压,加在B、E两电极之间。
iC是输出电流,vCE是输出电压,从C、E
两电极取出。
输入特性曲线—— iB=f(vBE) vCE=const
输出特性曲线—— iC=f(vCE) iB=const
本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线,即
共发射极接法的供电电路和电压-。
共发射极接法的电压-电流关系
简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。
(1) 输入特性曲线
vCE的影响,可以用三极管的内部反馈作用解释,即vCE对iB的影响。
。其
中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。
当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反
偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB
增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增
加时,曲线右移很不明
显。曲线的右移是三极
管内部反馈所致,右移
不明显说明内部反馈很
小。输入特性曲线的分
区:①死区②非线性区
③线性区
共射接法输入特性曲线
(2)输出特性曲线
,它是以
iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明,
当vCE=0 V时,因集电极无收集作用,iC=0。当vCE稍增大时,
发射结虽处于正向电压
之下,但集电结反偏电
压很小,如
vCE< 1 V
vBE= V
vCB= vCE- vBE= < V
集电区收集电子的能力
很弱,iC主要由vCE决定。
共发射极接法输