MOS管应用电路.docx

针对GS4300AD带硬盘启动不起机问题
问题现象:GS4300AD带硬盘启动不起机,若起机之后再插硬盘就能正常工作。
原因分析:主要是MOS管控制电路问题,硬盘是感性负载,上电时,在MOS管打开瞬间漏极尖峰电流较大造成MOS管的S极即输入电压5V电压跌落。如图1所示:
图1
图1中蓝色波形为5V输入,绿色波形为STD5V输出,可以看出STD5V反复上电掉电,5V也反复有个跌落。
解决办法:有效降低尖峰电流的办法是增大MOS管打开时间,解决办法是把R2设置为20K,采用如图2所示电路。
图 2
关键参数为图中R1,R2,C1,以输入电压12V进行测试,测试数据如表
1所示:
序号
R1(K)
R2(K)
C1
C2
IDM(A)
A
10
2
100nF


B
100
20
100nF
1uF

C
100
20
100nF


D
100
20
1uF


E
100
20



F
100
20



G
100
47



H
100
47
100nF


I
100
100
100nF


表1
由表1中的数据CDEF比较得到漏极尖峰电流随C1变化曲线如图3所示:
图3
从图中看出GS两端电容越大,漏极尖峰电流越小。
由表1中CHI看比较得到漏极尖峰电流随R2变化曲线如图4所示:
图4
从图4中看出R2越大漏极尖峰电流越小。
如图5所示,有些设计是没有C1和C3,但是有C2,经测试由表1中看出C2处的电容应该去掉,对抑制尖峰电流作用不大。而C3处的电容是不能加的,它会充电使VG电压变为5V。而由测试数据知C1处的电容必须加。
图 5
相比较而言,对于12V输入 R1=100K,R2=20K,C1=。而对于
5V输入,R1=100K,R2=20K,C1=1uF就可以。输入电压越低尖峰电流越小。