防静电规划方案.doc

制造中心防静电
规划方案
目的:
为使计算机组件和设备在生产过程中免受静电危害,了解静电产生的机理和一些防止静电产生危害的相关知识是非常必要和重要的。特别是在生产过程中,静电对硬件的危害性相当大,它将直接影响到产品的质量,增加生产成本,所以我们在静电防护方面要采取有效可行的措施,降低和控制静电在生产过程中造成的危害,以提高产品的质量增加产品的稳定性,为公司的做大做强提供可靠的后勤保障与支持。
适用范围:本规划适用于装配、调试、维修、检验以及其他可能产生静电的相关工作区域。
目标:关键工位静电电压小于100V,达到安全标准。
静电产生的原因及静电的危害
,它存在于物体表面,是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。静电现象是指电荷在产生与消失过程中所表现出的现象的总称,如摩擦起电就是一种静电现象。
静电放电:具有不同静电电位的物体,由于直接接触或静电感应引起而物体间的静电电荷转移。这是在静电场的能量达到一定程度后,击穿其间介质而进行放电的现象。
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微观原因:
根据原子物理理论,电中性时物质处于电平衡状态。当两种不同物质相接触时,由于电子逸出功不同,电子会从一种物质移向另一种物质。正是这种电子的得失,使两种失去电平衡,产生了静电。
宏观原因:
(1)不同物质接触时会形成偶电层。这两种物质若随之分离,就会带上不同符号的电荷。接触与分离,是静电产生的基本原因。
(2)静电感应:不带电的条件,会因静电感应而带静电。
(3)介质极化:不带电的绝缘体或半导体,会因静电场的作用而极化,出现宏观带电现象。
(4)摩擦能使物体更紧密地接触,能使之更易带电。
:一是由静电引力引起的浮游尘埃的吸附;二是由静电放电引起的介质击穿。
(1)静电吸附:由于静电的力学效应,在这种情况下,很容易使工作场所的浮游尘埃吸附于芯片表面,而很小的尘埃吸附都有可能影响半导体器件的良好性能。所以电子产品的生产必须在清洁环境中操作,并且操作人员、器具及环境必须采取一系列的防静电措施,以防止和降低静电危害的形成。
(2)介质击穿:由静电引起元器件的击穿是电子工业中静电危害的主要方式。在强电场中,随着电场强的增强,电荷不断积累,当达到一定程度时,电介质会失去极化特征而成为导体,最后产生介质的热损坏现象,这种现象称为电介质的击穿。
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(1)静电放电对计算机硬件危害相当大,根据统计在半导体件的损坏中静电导致的破坏率为59%。由静电击穿引起的元器件击穿损坏是电子工业中,特别是电子产品制造中最普遍、最严重的危害。它主要分为:硬击穿、软击穿两类:
使电子元器件硬击穿 (又称即时失效)
使电子元器件软击穿(又称延时失效)
所谓硬击穿是一次性地造成器件的永久性失效,使器件完全失去功能,器件不能操作,这种损坏约占器件受静电损坏率的10%(如器件的输出与输入开路或短路)。对于硬击穿,一般可在我们的调试、老化、检验过程中及时发现并予以维修。
软击穿特点是器件间歇性失去功能,器件可以操作但性能不稳定或参数下降而成为隐患,其带来的危害比硬击穿更严重。因为软击穿在初期是很难发现的,器件时好时坏(指标参数降低所致),且不易被发现,给整机运行和查找故障造成很大麻烦,器件的性能参数虽有