手机外围电路详细介绍.pptx

MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。
NOR+NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码,采用NAND存储代码(操作系统和应用软件)和数据,易失性RAM被用来存储执行代码时的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。
混合存储器采用SRAM和NAND,采用NAND作为非易失性存储器,所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从NAND引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR,因此可降低总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但是,这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需要主机上有支持请求调页的先进操作系统。
MIC电路
MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压,-。
C204,C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电容,如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容,如果有WIFI 。
C206主要是抑制共模信号。
C201,C202为100NF电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使PA饱和,产生信号偏移,主要滤除100HZ一下的电流。
B201,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰。
MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN,而不用公共的GND,主要是因为GND干扰太大。
磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果
MIC内部结构
Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以,我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。
CP就是那颗能根据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管放大信号,C1,C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。
C1
C2
C
RL
OUTPUT
GROUND
VS
TERM。1
TERM。2
Shield case
C1=10pf
C2=33PF
RL=
VS=
CP
耳机电路
未插入耳机时,A点断开,所以B点处于高电平,二极管截至,C处为高电平,所以
EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。
当插入耳机时,由于耳机一般为64欧姆,32欧姆,或者16欧姆(MTK使用的为32欧姆)。
相对于100K欧姆,,二极管导通,+=,EINT值
为低电平,BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需
要满足下面另一个条件。
47K-190K上拉电阻,典型值为75K
BB
VDD
VDD
100K
EINT
-
A
B
C
XMIC
ADC
MICBIOS
>1V,2. EIN为低电平。则表示耳机为插入。
Right
Left
MIC
GND
若只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上,然后XMIC信号
直接连接GND,ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要这个动作了,但是手机
研发还是保留了这个信号未删除,以免出现问题。
MICBIOS
ADC
MP3电路
MTK使用的一个D类功放,电容C243,C244,C245作用同前面MIC电路介绍的三个电容,主要是为了消除900MHZ和1800MHZ的高频噪音以及共模干扰。VBAT经过电感L204的过滤消除杂讯,并且加了一个33pf的电容以消除高频噪音。
其PA的功率为7-8倍左右,其计算方式为PA外面的电阻R255,R256 47K/PA内部的匹
配电阻10K*2(因为是两路差分信号)=。
D类放大器理论是给定的小模拟信号作为功率放大器的输入。功率放大器内部调制器将模拟转换成数字信号,如脉宽调制(PWM)或脉冲编码调制(PCM)(取决于器件采用何种调制方式)。但它仍然是一个微弱的数字信号。然后,桥接放大器将数字信号的振幅放大。为了将高幅度数字信号转换回模拟输出,还需要一个无源LC滤波器。 D 类放大器比AB 类放大器效率更高,因为D 类放大器从电源获得所要求的输出功率,而非从电源获得所要求的电流,也不会在输出晶体管消耗剩余的功率。
音频信号都是正弦波,AB类放大器末级放大电路一