模电课件122.pptx

第一章常用半导体器件
§ 半导体基础知识
§ 半导体二极管
§ 晶体三极管
§ 场效应管
§ 半导体二极管
二极管伏安特性
二极管模型
二极管应用

(一) . 二极管的结构(实质为一个PN结)
旧符号
新符号
阳极(Anode)
阴极(Cathode)
.二极管的结构
点接触型:结面积小,结电容小,故结允许的电流小,最高工作频率高。
面接触型:结面积大,结电容大,故结允许的电流大,最高工作频率低。
平面型:结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下,
(欧洲,美国,日本的命名方法各有不同,详见晶体管手册)
材料
开启电压
导通电压
反向饱和电流
硅Si

~
1µA以下
锗Ge

~
几十µA
开启电压
反向饱和电流
击穿电压
温度的
电压当量
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
. 二极管的伏安特性
开启电压:使二极管开始导通的临界电压。
当加正向电压时:I 随U↑,呈指数规率↑。
. 二极管的伏安特性
当加反向电压时: I=-Is ,基本不变。
正偏二极管有一个正向电流开始明显增大的导通电压UON,
Si管:,Ge管:
从二极管的伏安特性可以反映出:  1. 单向导电性
2. 伏安特性受温度影响
T(℃)↑→在电流不变情况下管压降u↓
→反向饱和电流IS↑,U(BR) ↓
T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
正向特性为指数曲线
反向特性为横轴的平行线
增大1倍/10℃
二极管温度特性结论:1)正向/开启电压随温度的升高而减小; 2)反向饱和电流IS随温度的升高而增大;
二极管的主要参数(见p20)
最大整流电流IF:最大正向平均电流值
最大反向工作电压UR:最大瞬时值
反向电流 IR:即IS
最高工作频率fM:上限截止频率,因PN结有电容效应