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靴敝储:刚嗍训月同期:年日学位论文使用授权声明学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。学位论文作者:本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品,知识产权归属郑州大学。根据郑州大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权郑州大学可以将本学位论文的全部或部分编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或者其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或与该学位论文直接相关的学术论文或成果时,第一署名单位仍然为郑州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。日
摘要量的珞或切和煞帧S捎阽蠡蚱鲈贑中均为施主能级,可以推断对表面三个典型区域馐越峁砻鰿技术制备出的∧ぶ泻写硅纳米孔柱阵列甆捞氐亩嗫渍罅薪峁梗约捌溆乓斓墓馕招能,使得宽带隙半导体/.春咸逑翟谔裟艿绯亓煊蚓哂兄匾5目蒲б庖和应用价值。本文采用水热腐蚀技术及两步腐蚀法分别在晶向和晶向的单晶硅片上制备出了.⒉捎眉虻ヒ仔械幕〕粱际赟甆表面沉积了一层连续、致密的∧ぁMü訡/.异质结构阵列的形貌结构、光学性能、电学性能以及光伏特性的研究,论文得到的主要研究结果如下:瓹/—熘式峁拐罅械闹票赣胄蚊步峁固卣通过水热腐蚀和两步腐蚀法,〕粱际踔票傅玫搅薈/异质结构阵列体系,并从形貌结构特征、成分组成等方面进行了分析。通过像可以看出,采用际踉赟甆表面沉积了一层连续、致密的∧ぁ馐越峁砻鳎珻.∧のQ俏忍牧⒎较啵诰叽緼下嫱嘶笞1湮A较唷Mü訡最高衍射峰进行估算,得到退火前钠骄Я3叽缥!.嘶鸷驝的平均晶粒尺寸为~.,即经过退火处理后的擅拙Я5钠骄叽缬兴黾樱晕D擅准丁薄膜为停鳲则认为来自样品表面吸附的氧气,或者来自于水浴过程中所生成的珻受热时将分解为W凵纤觯珻—/。谔裟芰煊虻挠τ锰峁┝思际蹩尚性。疭甆异质结构阵列的光学和电学特性通过对化学水浴沉积溶液中帕5奶崛。颐堑玫搅顺然粕ǖ腃粉体。厶逶。嘶鸷笸⑸擞闪⒎较嘞蛄较嗟淖1洌煌υ
是由于厶逯写罅康溺蟆⑶小ⅰ牒颓蠽复合缺陷所导致的。由于在配以及在沉积∧な毙纬傻拇罅康溺蟆⑷纭ⅰ牒蚥‰复合缺陷,使得畲蠊ぷ鞯缪埂肟,最大工作电流。;恍蔈%,串联电阻咫于,退火后厶逯谐鱿至司哂辛⒎狡犯窠峁沟腃。采用谢乐公式对卡峰位的晶粒大小进行估算,得到退火前钠骄>冻叽缥!,~.激发波长激发下,发现厶宓姆⒐馄自~段诖嬖谟卸喔龇⒐峰位,并对发光峰产生的机理进行了合理地解释,认为这些发光峰的存在可能薄膜生长过程中,均质成核生长所形成的ú豢杀苊獾匚皆赟甆表面,即∧な导噬习辛街植煌せ硭纬傻腃。通过研究相同制备条件下所得到的厶宓男灾剩梢越徊教骄緾过程的反应机理,从而获得性能更佳的∧ぁ4送猓訡粉体的分析还可以为后面探究膜对疭甆的光电特性的影响提供相应的依据。疭甆的光吸收性能。不同退火条件下,疭甆异质结构阵列都表现出良好的光吸收特性谒獠ǘ蔚钠骄址瓷渎示∮%6酝嘶前和嫱嘶鸷蟮难返幕址瓷淦捉蟹治龅茫珻在退火前的光学带隙为,而在退火后变为~。这里退火前的一闲的原因可能是由于蚐甆之问存在晶格失配,进而在界面间产生应力;而应力将会导致晶格常数的变化,从而改变拇犊矶人隆疭腏特性及载流子的传输机理。室温下叩牟馐越峁表明疭甆具有良好的整流特性,其开启电压~杂Φ牡缌髅芏任。!;在~聪电压下,漏电流密度为~ǎ聪蚪刂沟缪刮!~S捎赟甆/湮E纺方哟ィ虼薈/.熘式峁阵列属于典型的异型异质结结构。其正向偏置下载流子的传输机理可以通过模型来解释。分析可知,由于∧び隨甆衬底之间存在的晶格失异质结构阵列中存在有大量的缺陷态,这些缺陷态将会限制异质结构阵列光伏性能的进一步提高。疭甆异质结构阵列的光伏特性。光伏测试结果可以看出,疭狽异质结构阵列具有明显的光伏效应,其丌路电压圪,短路电流⒘T摘要~~
大的‰,但是其相对较小的厶。和限制了器件的光电转换效率。如果风降为;光伏效应?梢钥闯觯珻/.—异质结构阵列器件有着相对较渌跫槐洌膳纺范啥煽芍#ü氲牡缌鹘ɑ嵊兴黾樱计算可得,此时器件的光电转换效率为~ァR虼耍ü允笛樘跫挠呕以及器件成本的降低,有望实现疭异质结构阵列的光伏应用。关键词:硅纳米孔柱阵列狽换〕粱;硫化镉疭狽;光致发光徽魈匦辉亓髯哟电阻摘要
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