超晶格材料子带结构.pdf

摘要从江崎等提出并制出���疉���党�Ц褚岳矗�孀懦�∧ぶ票讣际�的发展,对超晶格结构的研究获得了很大的成绩,特别是���疉��痥�党�晶格材料,由于它们的单晶生长、物理性质控制比较容易,两者的晶格常数相差不大,材料性质比较相近等原因,,,我们首次利用电子的干涉理论对超晶格材料的能带结构进行了计算和分析,���票傅牟粼覥��/�����晶格材料在室温下的光致发光行为,,,,阐述�肿邮�庋���的基本原理,介绍了超晶格样品的制各及对样品的测试方法——���疉���,根据理论计算分析了其发光峰的位置,,光致发光谱的强发光峰是��/�����镜臀孪虏饬康难�返墓獾缌鳎�颐遣捎玫缱硬ǘ��论,通过考虑电子波在超晶格界面的反射与干涉,分析了超晶格的光电流谱,研究了超晶格材料的子带结构,:��∥������Ц瘢�庵路⒐猓�獾缌鳎�哟�峁�山东大掌硬士学位论文。
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监垄堡期:边』:墨�日期:丝�骸唬盒�毽兰垒日原创性声明关于学位论文使用授权的声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人论文作者签名:本人完全了解山东大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅:本人授权山东大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。�C苈畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑�导师签名:承担。‘·
子波导管��阄�峁挂涣孔拥悖�缘臀�低车缱咏峁沟难芯渴加谏细鍪兰推�几种:准二维和二维结构——超晶格和量子阱,准一维和一维结拇一量子线��输运等��肿邮�庋蛹际�Ⅷ�、有机物化学气相沉淀����⒌缱�第一章超晶格材料概述��序言��年半导体超晶格概念的提出�】以及随后的实现,无疑是半导体、凝聚态物理发展中一个重要的里程碑,,我们可以把半导体低维结构与材料分为如下十年代初,,人类实现了准一维结构的量子线,可以通过刻蚀量子阱结构样品来制备量子线,使之成为很窄的条形状,或在�尾��尾�中进行分子束外延生长来实现田.��等人进一步利用光刻蚀技术制造出了边长为���的方形量子点,在这种准零维结构中电子运动是完全量子化的,紧接着其他实验室,如贝尔实验室和贝尔通讯研究有限公司也制