硬件工程师面试题集(含答案-很全).doc

硬件工程师面试题集(DSP,嵌入式系统,电子线路,通讯,微电子,半导体)产生EMC问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式,换句话说,产生EMC问题的三个要素是:电磁干扰源、耦合途径、敏感设备。                     传导、辐射7nO1pRh$z骚扰源-----------------------------(途径)------------------------------敏感受体MOS的并联使用原则:,最好是同一批次的。,不可共用驱动电阻和放电电阻。,减小电流分布不均光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦,如果理解?工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降<,(Vcc-),大小影响。此时Ic<If*CTR,此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦,Ic=If*CTR,-Ic*RL,Vout=Ic*RL=(Vin-)/Ri*CTR*RL,Vout大小直接与Vin成比例,一般用于反馈环路里面(,实际要按器件资料,)。2光耦CTR概要:1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析;2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量;3)CTR受多个因素影响。,,假设Ri=1k,Ro=1k,光耦CTR=50%,,副边三极管饱和导通压降Vce=。输入信号Vi是5V的方波,。?我们来算算:If=(Vi-)/Ri=:Ic’≤CTR*If=,那么需要Ic’=(–)/1k=,大于电流通道限制,所以导通时,,Vout=Ro*=。,,,。解决措施:增大If;增大CTR;减小Ic。对应措施为:减小Ri阻值;更换大CTR光耦;增大Ro阻值。将上述参数稍加优化,假设增大Ri到200欧姆,其他一切条件都不变,?重新计算:If=(Vi–)/Ri=17mA;副边电流限制Ic’≤CTR*If=,远大于副边饱和导通需要的电流(),所以实际Ic=。所以,更改Ri后,。开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较,如果Ic/If≤CTR,说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量(建议小于CTR的90%)。工作在线性状态令当别论。2、输出特性曲线输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下,集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系,即 (5-4)三极管的输出特性曲线如图5-7所示。由图5-7可见,当IB改变时,iC和uCE的关系是一组平行的曲线族,并有截止、放大、饱和三个工作区。  (1)截止区IB=0持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏,发射结电压uBE<0,也是处于反偏的状态。由于iB=0,在反向饱和电流可忽略的前提下,iC=βiB也等于0,晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管,发射极和集电结都是反偏,在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是:处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0,该电流称为三极管的穿透电流,它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流,不受iB的控制,但受温度的影响。(2)饱和区在图5-4的三极管放大电路中,集电极接有电阻RC,一定,当集电极电流iC增大时,uCE=VCC-iCRC将下降,对于硅管,当uCE ,集电结也进入正向偏置的状态,集电极吸引电子的能力将下降,此时iB再增大,iC几乎就不再增大了,三极管失去了电流放大作用,处于这种状态下工作的三极管称为饱和。规定UCE=UBE时的状态为临界饱和态,图5-7中的虚线为临界饱和线,在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为:    (5-1-4)式中的ICS,IBS,UCES分别为三极管处在临界饱和态下的集电极电流、基极电流和管子两端的电压(饱和管压降)。当管子两端的电压UCE<UCES时,三极管将进入深度饱和的状态,在深度饱和的