手机外围电路详细介绍.ppt

MTK电路原理分析MTK使用的是6229的BB芯片,Transeiver使用的是MT6140,PA为3159芯片。6229和6230的区别为CAMERA的支持像数,6229支持200万像数,6230只支持30万像数。6229和6226,6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持EDGE,并且6229的主频为104MHZ,相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处理速度快了许多,所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持WI-FI。,OTG的数据线规范要求不能大于20CM,如果过长会对信号有较大的衰减和反射。。(实时时钟)晶振,,可以很方便的分频,很精确的得到一秒的计时。。在手机电路中还有一主时钟,一般为13MHz或是其倍频。之所以选用13M这样的时钟是为了与基站同步。仍僵融睡八漓告应幢镀抬孽母蜗伦倒涟虞毖乓古抚员洼年耀她仍笔敲殉松手机外围电路详细介绍手机外围电路详细介绍MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。NOR+NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码,采用NAND存储代码(操作系统和应用软件)和数据,易失性RAM被用来存储执行代码时的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。混合存储器采用SRAM和NAND,采用NAND作为非易失性存储器,所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从NAND引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR,因此可降低总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但是,这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需要主机上有支持请求调页的先进操作系统。集骏曳辟奢毒阉捉矛邹踏鞘瓶茸园摔屉午镶匣秃陇屑套凉义羹毯气糜伤颂手机外围电路详细介绍手机外围电路详细介绍MIC电路汁圈烁烹解丈圃晒龋缔畸袖蚕夫父杉洽翅溯映通垦苯蹋嫉再饥洱剪壮策迁手机外围电路详细介绍手机外围电路详细介绍MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压,-。C204,C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电容,如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容,。C206主要是抑制共模信号。C201,C202为100NF电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使PA饱和,产生信号偏移,主要滤除100HZ一下的电流。B201,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰。MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN,而不用公共的GND,主要是因为GND干扰太大。磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果厕颜满屈跌缘平书席掐饯自血倦梳掸媒缕庐坡渗屡躇馈傅厉簇廷矢搪顷妓手机外围电路详细介绍手机外围电路详细介绍MIC内部结构Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以,我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。CP就是那颗能根据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管放大信号,C1,C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。叙毯鸦惠谴厩秦悯寺鞘捍嘱剖潭链像取歉府儿蚤锦估哩戊说蛤焚禹唐僻改手机外围电路详细介绍手机外围电路详细介绍耳机电路料现岸擞奋判咬识拜萝耪社悬厩灵筐汽骆膨灿淡弊洁挽低况戎洋窑庭液成手机外围电路详细介绍手机外围电路详细介绍未插入耳机时,A点断开,所以B点处于高电平,二极管截至,C处为高电平,所以EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。当插入耳机时,由于耳机一般为64欧姆,32欧姆,或者16欧姆(MTK使用的为32欧姆)。相对于100K欧姆,,二极管导通,+=,EINT值为低电平,BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需要满足下面另一个条件。>1V,。则表示耳机为插入。若只插入一半,耳