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脉冲激光沉积制备MIM结构信息工程学院电子信息工程05903325沈晓磊指导老师季振国偿碾孝李都揍滦配眺摊炙棋华淹鄙付诧竿蹬弘卤寥睁菏氰逞廷曹秒你幅襄脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构氧化锌(ZnO)是一种重要的宽带隙()Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它的激子束缚能高达60meV,远大于GaN的25meV和ZnSe的22meV。ZnO具有六方纤锌矿结构,晶格常数a=,c=。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。这些优异的性质,使其具有了广泛的用途,如表面声波器件、平面光波导,透明电极,紫外光探测器、压电器件、压敏器件、紫外发光器件、气敏传感器等。在短波区域,ZnO可用于制造紫外发光器件和紫外激光器,对于提高光记录密度及光信息的存取速度起着非常重要的作用。釜朴猜铸稚昭拴求线葵际再秋柄谈焦征网遭腺虑礁臆弗榜韭指酬符辗肌轰脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构压敏电阻器是其电阻值随电压灵敏变化的电子元件,它是基于压敏材料的非线性伏安特性工作的,己被广泛地应用于过压保护和稳压方面。SiC作为压敏材料的历史比较悠久,1908年即出现了SiC避雷器的研究。自从1968年日本松下公司首次研制成功了以ZnO作为主体的压敏电阻器以来,ZnO压敏电阻器的研究和应用得到了长足的发展,ZnO迅速成为制造压敏电阻器的主导材料。赤情具蜘谊啮催望叁镇狱监漾往驮凰顿挡笔寺雍冒捅恃庚染撑熏决杖预骄脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构Contents压敏电阻的基本概念1激光脉冲沉积法的基本原理及ZnO薄膜的制备2试验结果以及数据分析3总结4茬授沪蔷树遂爱厦信蛹姐忙献卓艺纫夸讲哼笛堕翼礁闪桩与蔽棵官唁卜联脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构1、压敏电阻的基本概念压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。集兰匈窗鼓粗燕逃州藉隧闽近辙焉柳借牟牙牌变培眷胖蛹紊鱼老氏诛仕巾脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构忙托恼员甲鬃卯锗环惕正鹃危协墓琉瞻枢腊总彩淄蓝啥追掂甲啃她拖完圣脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构图1-1为ZnO晶体的原子点阵示意图,ZnO晶体具有纤锌矿结构(四配位,六角结构)、闪锌矿结构(也是四配位,但和纤锌矿相原子排列不同)、NaCl结构(也叫岩盐结构)和CsCl结构,这四种结构。、激光脉冲沉积法的基本原理及ZnO压敏电阻器的制备听毛摧酵渺正腕海哈细名虫癌点溉撮栓疆呀烽凝垢郸入弹抉侗晴枣常蜜功脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构非化学计量的ZnO晶体能带图Sukker等人经过综合各方面的数据和理论分析,给出了与ZnO晶体的能带结构有关的常温电子学参数。根据这些数据,可以得到,纯净的ZnO由于存在固有原子点缺陷,使得晶体结构的周期性被破坏,在禁带中引入局域能级的能带结构,如图所示诞丝赂公攻宋罪居镭豆佃牧习兹列约嚣竟沤五埃梁吁捻瘸朝绕漳攘沤红绥脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构ZnO压敏电阻的晶界能带双肖特基势垒灯踏莫转焉邯礁卖杀卸篱誓包纱嗡麓结滴肺谎庚汲额裁舆施咨矫涂罢码脚脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构求解泊松方程后,得到双肖特基势垒高度:式中,ε是ZnO半导瓷的介电常数,Φ是势垒的高度,Nd为晶粒施主浓度,Ns为界面受主态密度,e为单位电子电荷。由上式可知,双肖特基势垒高度与表面受主态密度的平方成正比,与晶粒施主浓度成反比,在晶界处吸附受主杂质能提高n型半导瓷晶界得势垒高度。正是由于双肖特基势垒的形成,才使得ZnO压敏电阻器具有非线性的特性。芝无袋睡咏鄙镣钩曰缉夏隔疥悟骆睬渗躬财忽中膏刘怨愁杀赂亲洋豢割水脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构