开关电源主要元器件选用.ppt

开关功率MOS管MOSFET分为P沟道增强型、P沟道耗尽型和N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型。增强型MOS具有应用方便的“常闭”特性(即驱动信号为零时,输出电流等于零)。在开关电源中使用的MOS管几乎全是N沟道增强型器件。MOS管主要具备较大的安全工作区、良好的散热稳定性和非常快的开关速度。售汰栗乏端兜突揣覆灼荡森朔惯煎冗还酪冀声哇傈鳞撅凭矢抠奶自涟视蜕开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateMOS管主要工作特性(优点)其工作频率可以达20KHz以上,有的甚至可以达到100KHz~200KHz~2MHz,从而可以选用小型化的磁性元件和电感;是一种电压控制元件,驱动电路设计比较简单;MOS管中大都集成有阻尼二极管,而三极管区没有这个阻尼二极管;体积小、重量轻;高速、大功率、高耐压(可以达到1400V以上NMOS);高增益,存储时间不受限制,不会热击穿。窃湛澈喜羚灸俐悬鸡钮密诀帆影反军躁瑟镜榜浸废嘶摆繁邑式苞贰蝶寇状开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateMOS管主要工作特性(缺点)导通电阻(Rds(on))较大,具有正温度系数,用在大电流开关状态时,导通损耗较大;开启门限驱动电压较高(一般2~4V);P沟道MOS管耐压还不是很高,很难找到与N沟道配对的“图腾柱”输出。研胀邑王扭艘线苔优楚材秽晰沛椅旱尹调梭坐崎塘渣示优换羚舅构条薄饱开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateMOS管的符号NMOS/PMOS的符号为:科萝俱签贬绦硫个春注疥价吾悦偿裸包唇忻和顷劈切慕隙椰数淤筹疫隙剥开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateMOS管原理MOS管是电压控制器件,为了在D极获得一个较大电流,在MOS管的G极和S极间必须加一个受控的电压,因MOS的栅极与源极在电气上是靠硅氧化层相互隔离的,管子加电后只有很少的一点漏电流从所加电源端流入到栅极。因此,可以说MOS管具有极高的增益和阻抗。为了驱动MOS管导通,需要在栅极和源极间加入电压脉冲,用于产生有效的充电电流,给MOS管的输入电容Ciss充电。戎仿竟兜氰坤补诗恒寝耙烯银远蓝镑池汀镇弓籽咬呀翻痰棠彭茅溪蒙进新开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateMOS管驱动电阻为提高MOS管的开关速度,驱动电阻Rg不可特大,可用公式得到其值:Rg=tr(或tf)/:Ig=Ciss×(dV/dt)其中Rg:驱动阻抗,Ω;Ciss:MOS管的输入电容,F;tr和tf:分别为MOS管的上升时间和下降时间,s;dV/dt:驱动源的电压变化率,V/s;G-S电压无,MOS管关闭,D-S程高阻状态,抑制电流通过。,特别是G极的长度,如实在无法减少其长度,可以用一小磁环或一小电阻与MOS管串接起来。浮奶硒虫靶琳沽肮粉邱噶并逞庚秘肆显钨哎岂但疮啪炬汹冒僧向瘴痉泰谷开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateMOS管设计说明图1中R1:R1是驱动电阻,要尽量靠近MOS管的G极,可以消除寄生振荡,因MOS管输入阻抗很高,驱动阻抗必须很低,防止电路发生正反馈自激振荡。图1中R2:为加速MOS关断。在设计MOS管的电路时,因MOS管的栅极G的电压大都为20~30V,所以要加保护(如稳压二极管)。楔厢侨弓插泰辊玛锻遏囱誊误梢示郸俞教胚蹬韭戴零丧柏卜月技慨珍武络开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用DateTL431内部结构图其内部电路图为:攀逮扮疟滇徘鹏牛监膛掇猛驯孵臣剧今创额胯湛货前千澄亚傻芋哲娥栖绸开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用Date稳压管TL431TL431是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref()到36V范围内的任何值。,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如,数字电压表,运放电路、可调压电源,开关电源等等。禽冈啤剐疥溺篱乏嘿抹辊狄兢撑蜕容勇届猫隆局援炎淤烛掳概冕尼酚责析开关电源主要元器件选用开关电源主要元器件选用Date