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内存前途风高浪急内存前途风高浪急.doc内存前途风高浪急内存前途风高浪急江山代有才人出,各领风骚数十年。存储类产品市场的变化与发展正应验了这句古话。由于内存市场的上游大厂在产能方面存在诸多不确定因素,因此2006年的价格表现将可能并不是一条直线,而是呈现波浪式发展的态势;而闪存产品由于需求旺盛,因此未来发展可能几乎是一帆风顺。 DRAM内存预测尽管iSuppli、Gartner、IDC等市场研究机构对2006年DRAM市场都抱悲观看法,实际上这些研究机构几乎从未准确地预测过DRAM市场。这些市场研究机构的预测几乎每个星期都要修正一下,一会儿说大好,一会儿说要崩溃。真正了解DRAM市场的是那些身处DRAM产业的企业,尤其是我国台湾省企业。虽然我国台湾省企业在DRAM市场上占有率还不超过15%,但是几乎所有的DRAM都是他们封测的,新增的DRAM产能都是来自这里。我国台湾省企业对DRAM产业的影响力非同一般,更何况全球的DRAM生产重心都在向这里转移,未来这些企业将有可能完全掌控DRAM产业。 DRAM大厂力晶董事长黄崇仁在出席竹科25周年全球科技论坛时表示,2006年DRAM内存产业将是平稳的一年,不会出现衰退。而日本惟一内存厂家Elpida董事长坂本幸雄表示,2006年将是DRAM平稳增长的一年,销售额会增加10%。 2006年DRAM产业之所以平稳有两个原因,一是DRAM厂家的扩产脚步非常谨慎,并且几乎所有的扩产都集中在NAND闪存上;二是2006年DRAM将从110纳米转进90纳米,转换过程中需要大约6个月的时间来提高良率,对产能增加的贡献程度有限。很明显,DRAM价格在2005年下半年下跌了30%,尤其在第四季度,价格下跌了20%。DRAM厂家收入大减,厂家需要时间来累积扩产所需的资金,2006年第二季度以前,DRAM厂家都不会有扩产。 2006年将是英飞凌内存部门独立的第一年,英飞凌会委托我国台湾省企业大量代工DRAM,而英飞凌自己将努力开拓NAND闪存领域,谁都知道NAND闪存的市场更广阔、潜力更足、利润更高。韩国Hynix也是同样的政策,依靠NAND闪存,其在全球半导体企业的排名从第十二跃居第九名,利润也大幅度成长,一扫前三年的阴霾。美光也是依靠NAND闪存改写连续三年亏损的痛苦记录,2006年自然大力发展NAND闪存。同时美光的CMOS图像传感器在中国热卖,市场占有率超过50%,2006年自然会进一步加大生产力度。三星为保住龙头地位,在2005年11月份巨资购入大量半导体设备来提高产能,三星新采购的这些设备将用在三星Line14、Line9、LineS三条生产线上。Line14是一条12英寸晶圆生产线,于2005年5月投产。原本Line14采用90纳米工艺生产NAND闪存,但是三星决心投巨资改进为70纳米工艺生产线。Line14目前产能只有每月1万~,加大设备投资后,2005年年底可以达到2万~。而三星将继续加大投入,在2006年将Line14产能增加到每月6万~8万片。Line9是一条8英寸晶圆生产线,每月产能为10万片,其中5万片用于制造NAND闪存。三星购买新设备后可能将Line9全部转为NAND闪存生产线。而三星位于华城的12寸厂Line15原本预定扩产后投入生产DRAM,然而有鉴于目前DRAM市场情况未明,三星将暂停扩产DRAM。在200