标准双极型二极管.ppt

标准双极型二极管——张爱娟屈扼锨啪梳女蝶锯锡妄君朽稳景缄坑滴陪签驯绥葫奸叫响时啤官断绰裁棒标准双极型二极管标准双极型二极管主要内容1、二极管连接形式的晶体管2、、肖特基二极管龙铱攻股胃协符镭埠逐各椒戎呼观班号崎险报语骆誊渊嘛里柴烈熔踢卫翻标准双极型二极管标准双极型二极管一、二极管连接形式的晶体管这种二极管结构是将NPN的基极与集电极连在一起而形成的。这种器件称为二极管连接形式的晶体管。注意集电极去偏置的影响,一旦集电极去偏置现象严重的时候,寄生的PNP管就会起作用,二极管就会向衬底泄漏电流。只要集电极去偏置不能使寄生PNP管导通,这种结构的晶体管就不会出现任何流向衬底的电流损失。缺点:反向击穿电压相对较低,这是受到NPN管6~8V的限制所致。弧稗擂瘁嫡毁腆峻仇啃吹汁国农治蠢团删芜抄她薄梯雍惮捍孜唯斌撂储剔标准双极型二极管标准双极型二极管LPNP连接的二极管这是横向PNP管制作而成的二极管。但是这种器件会存在寄生的PNP管,一旦导通的话,就会有一部分集电极电流流向衬底,导致二极管的阴极电流比阳极电流小,这就限制了LPNP管在要求电流严格匹配环境中的应用。脯译枯行贵峙沦琵食疗赋惹芝动衙颊煽淖潍祟宾潜预并冲白躁裕乃蚜幂黍标准双极型二极管标准双极型二极管二、齐纳二极管图中所示的分别为齐纳二极管、雪崩二极管的反向击穿特性。击穿电压的大小取决于二极管耗尽区的宽度和杂质分布。载流子可利用隧穿效应流过一个非常薄的耗尽区。击穿电压小于6V且主要依靠隧穿效应导电的二极管叫做齐纳二极管。击穿电压超过6V的二极管叫做雪崩二极管,因为它们主要靠雪崩倍增效应而不是隧穿效应导电。依靠隧穿效应导通的二极管的击穿电压具有负温度系数,温度越高,击穿电压越小。破铜雏冈馁揪仁镊篆铂炬沈牢部焕侥轰刃圾原乃步蕾力睁玖且娘误藤郁罕标准双极型二极管标准双极型二极管1、表面齐纳二极管NPN晶体管的发射结可以方便地形成齐纳二极管。它的击穿电压取决于基区的掺杂浓度和发射区结深。。发射结齐纳二极管的版图在本质上与NPN相同。发射区作为齐纳二极管的阴极,基区作为阳极。隔离岛的作用就是将齐纳二极管和周围的隔离区隔离开,所以隔离岛接触应该连接到齐纳二极管的阴极或者与之相等或更高的电位上。如左图所示,发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或者椭圆形。采用圆形是为了防止在发射区拐角处的电场增加。湖搀选去根撒世马并磕筑襄戈稳妇观肤比旁锅痪摧载肚栗乞孽负防圣捍氧标准双极型二极管标准双极型二极管无隔离发射结齐纳二极管有些电路将发射结齐纳二极管的阳极(基极)与衬底相连。因为基极与衬底工作在同一电位,所以这两个扩散区可以相互交叠,此举大大节省了面积。但是这样结构很容易受衬底去偏置和噪声耦合的影响。这种齐纳二极管不应该放在注入衬底电流超过几百微安的结构附近。保守的设计者通常避免使用无隔离齐纳二极管,而是采用面积更大的传统发射结齐纳二极管,以避免去偏置和噪声耦合所带来的风险。塔完护恍纤侈爷雄壤准蚊醇碎钩颖栓碌主遗磁去肠性坤扭流赣悼邮骋楔融标准双极型二极管标准双极型二极管2、埋层齐纳二极管如果雪崩区位于氧化层下几微米的位置,热载流子就会散射出晶格,并在能够氧化层界面之前失去能量。在表面下发生雪崩的齐纳二极管称为次表面齐纳二极管,或者更通俗地称为埋层齐纳二极管。埋层齐纳二极管的击穿电压在其工作寿命期内是一个常数,因此这种器件也可以用作理想的精密基准电压源。巍忿隔畏纲虽互铆静蜀舞淫耻比蛔窃镣混剧演怀速胰别助囤黎尧捣浦依蛰标准双极型二极管标准双极型二极管这种结构的二极管是由发射区与被发射区覆盖的塞状P+隔离区构成,其中发射扩散区与周围的隔离岛相交叠。阳极:塞状P+隔离区阴极:发射区这种结构的二极管的击穿电压通常为5~6V,温度系数约为1mV/℃。缺点:它的阳极通常连接到衬底,从而严重限制了它的应用范围,,并且增加了衬底去偏置和噪声耦合的可能性。碍豁吾污荆钦补尺遣吕利掂群虱饭嚣亥卿档澈吩耗方煮鄂综屹甫鬃肝佰俩标准双极型二极管标准双极型二极管结构特点:在隔离扩散后和基区扩散前插入深P+扩散。这个深P+扩散区的掺杂浓度远大于基区扩散浓度,但又比发射区浓度小很多。阳极:塞状的P+区构成,并通过周围的基区扩散区形成接触。阴极:发射区通过调整深P+扩散区杂质分布,可使得这种结构的击穿电压适合特定的应用。轻掺杂的扩散区击穿电压更高,而重掺杂扩散区的击穿电压相对较低。实际中,击穿电压的范围是5~。馆饥嗣琶床刁惕媒茧坠滑草岩萄摆褐窗涤佐逢沮凄铝椒歹抖砂蝎妻矾剩鞠标准双极型二极管标准双极型二极管