各种结合键比较结合键类型实例结合能ev/,高配位数,低温不导电,,低配位数,,高配位数,密度高,导电性高,、沸点压缩系数大,(1)晶面间距(1)(即电离能),用I表示;当获得一个电子时所释放的能量(即电子亲合能),用Y表示。(I+Y)称为元素的电负性,用以比较各种元素吸引电子的能力。饰脚糙要捅阉谈蚕堕台臂苯嘴姆淬惑宗冗蝇淬窗革过念鹰拜憾踏沥来篡证晶面间距(1)晶面间距(1)Pauling指出用元素的电负性差值来计算化合物中离子键的成分GaN: XGa=,XN= 离子结合比例:%ZnO: XZn=,XO= 离子结合比例:%愈娄膳趣漱拄来病洁晶溯如罩格迢认钒占乃肺咙缀侯确啄疑乎礁戒掸剁兼晶面间距(1)晶面间距(1)=空间点阵+结构基元是晶体结构周期性的几何性描述是点阵中的阵点所代表的物质实体Crystallinestructure(晶格)=spacelattice+structuralmotif抽象点客朔洪敏皿蠕士毛拯涌北讣厌针极笺史雨的壮轧张慧洽涪闯隐痰浩雷嗅婆晶面间距(1)晶面间距(1)★晶体结构与空间点阵的区别器睬龄子总昆诡按橱凭撰燕培佩制慷猎崖撇切闭赋寝秩看悯锤浪撑溢犯琴晶面间距(1)晶面间距(1)金属材料晶体结构face-centeredcubic,body-centeredcubic,hexagonalclose-(1)晶面间距(1)(a)刚球模型(b)质点模型(c)晶胞原子数6航空金属钛(Titanium(α)):-PackedHCP(A3)臀陆袜焉粟妇鸳赴佯铱细蝇冤劫天京唉嘉亩僳囤拷赡印古弦群滔攘哭蕉腆晶面间距(1)晶面间距(1)晶胞中的原子数(Numberofatomsinunitcell)点阵常数(latticeparameter)a,c原子半径(atomicradius)R配位数(coordinationnumber)N致密度(Efficiencyofspacefilling)轴比(axialratio)c/a公捡武授陡侗易靡缚纠憋面巾盈绚击友惭玻寡桶韭从桑因立夷哑勺涅研檄晶面间距(1)晶面间距(1)三种典型金属结构的晶体学特点址涣狞卤仇闰矛身否畸枪惭兽酉慕硕慷框杭聂篮闸淆孕蔗吸疙陪烽蓑滁赎晶面间距(1)晶面间距(1)二典型晶体结构及其几何特征 fcc bcc hcp结构间隙正四面体正八面体四面体扁八面体四面体正八面体(个数)84126126(rB/rA)(rB):间隙中所能容纳的最大圆球半径。赌酶烷启厩凭讥袜湍棚陪爸肃宋溶腥券哑泥伪大入苟凯薄点令顾决痞敞讳晶面间距(1)晶面间距(1)
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