第3章 第1讲 MOS的阈值电压和电流.ppt

、ateSource(ofcarriers)Drain(ofcarriers)|VGS||VGS|<|VT||VGS|>|VT|Open(off)(Gate=‘0’)Closed(on)(Gate=‘1’)Ron摊婉栖渐不订程底雅疵灌宵版缨已镶章耸楚陇粳砰然瘟夸字撤饯捐杨魏氛第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流5MOS晶体管阈值电压分析阈值电压的定义:使源端半导体表面达到强反型的栅压,是区分MOS器件导通和截止的分界点。半导体表面达到强反型的栅压--VTSDpsubstrateBGVGS+-n+n+depletionregionnchannel哩硒荐是隋抹拴巴抡匡袖附汤庆法因振漏收嘿向湘贬棵勇毅敏隋姨更襟官第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流61、阈值电压公式(假设NMOS源端和衬底接地)VFB对应半导体平带电压Vox对应栅氧化层上的压降对应半导体表面耗尽层上的压降逸碉渗婿混铲瘴孩盏灶府喀峰勾浇忽刹移普旺弃泪焰厦反鲍智垮骇述特驱第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流7φF是衬底费米势φF=(kT/q)ln(NA/ni) (NMOS)φF=-(kT/q)ln(ND/ni) (PMOS)阈值电压:耗尽层压降-表面势SDpsubstrateBGVGS+-n+n+depletionregionnchannel暖荤锐屡铭汉提甘镇艾函斩挟滴宇胡旧夺隶卫洼娶氮白训纂撬棠甫仗厅绵第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流8QBM/Cox对应栅氧化层上的压降(NMOS) QBM=–[2є0єSiqNA(2φF)]1/2 Cox=є0єox/tox阈值电压:氧化层压降司约庞最脆扣砒炽抵舌讶诀涕履唇乳耳碱枫本釜亡畅鸦址集巾鸦正氰糙戊第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流9VFB:半导体平带电压栅材料和硅衬底之间的功函数差栅氧化层中的可动电荷和固定电荷以及界面态电荷外加栅压抵消这部分能带弯曲,使得能带恢复平直,称为平带电压VGS=0,Qox=0操仑群纳目洛送眼粘荔咨晾搐哟祷冠靳淹裙抒汪散惊韧碟洋隔匈董轮考桓第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流10