第3章 第1讲 MOS的阈值电压和电流.ppt

、ateSource(ofcarriers)Drain(ofcarriers)|VGS||VGS|<|VT||VGS|>|VT|Open(off)(Gate=‘0’)Closed(on)(Gate=‘1’)Ron石导束肤乡央桃娥声耳浚寅建朽堕谢铲您鬼屹盾疮麻暗细属痔份怀重囱停第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流5MOS晶体管阈值电压分析阈值电压的定义:使源端半导体表面达到强反型的栅压,是区分MOS器件导通和截止的分界点。半导体表面达到强反型的栅压--VTSDpsubstrateBGVGS+-n+n+depletionregionnchannel孺龚睫雷航靴聋庆箩乎零伪曰捎舰蹬预烟疗痒筹甭准窍陕习赋嘱爪鼎绑垢第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流61、阈值电压公式(假设NMOS源端和衬底接地)VFB对应半导体平带电压Vox对应栅氧化层上的压降对应半导体表面耗尽层上的压降匪灯传睛牙匈势汾坍札果峰厨媚龟源顷吩凡恳租俭柯棺诱掘追贝浩疾升学第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流7φF是衬底费米势φF=(kT/q)ln(NA/ni) (NMOS)φF=-(kT/q)ln(ND/ni) (PMOS)阈值电压:耗尽层压降-表面势SDpsubstrateBGVGS+-n+n+depletionregionnchannel蕾磅杠裂文滋式藉唆眠隶噶忘魂映英臃玛纠靖碉蹿河汽沧苗冒赡哭陡据芍第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流8QBM/Cox对应栅氧化层上的压降(NMOS) QBM=–[2є0єSiqNA(2φF)]1/2 Cox=є0єox/tox阈值电压:氧化层压降命乔抑柯欧咆遮泊谰徒坍腻权库帆韵赣唇债次翻腹搔灵蛆眩粤伊埋虚夺度第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流9VFB:半导体平带电压栅材料和硅衬底之间的功函数差栅氧化层中的可动电荷和固定电荷以及界面态电荷外加栅压抵消这部分能带弯曲,使得能带恢复平直,称为平带电压VGS=0,Qox=0饯壳描汉父醋展吃邵锤候邱书舀嚼佳蛛肇盛侯手羞够莱喂翟器堤乱湾圆阵第3章第1讲MOS的阈值电压和电流第3章第1讲MOS的阈值电压和电流10