模电总结(）.doc

模电总结(）.doc半导体器件半导体中有两种载流子:电子,空穴。当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴。影响半导体导电性的因素:外界热(温度)和光的作用或往纯净的半导体中掺入某些杂质。本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在绝对0度(T二0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键朿缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体。在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的朿缚,成为自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。本征激发的特点:两种载流子参与导电,自由电子数(n)二空穴数(P)外电场作用下产生电流,电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加杂质半导体(通过掺杂,提高导电能力)N型半导体:电子是多数载流子,空穴是少数载流子,但半导休呈中性,也称为(电子半导体)。(在硅或错晶体中掺入少量的五价元素,如磷形成)P型半导体:空穴是多数载流子,电子是少数载流子,但半导体呈中性,也称为(空穴半导体)。(在硅或错晶体中掺入少量的三价元素,如硼形成)多子浓度主要取决于杂质浓度,少子浓度与温度有关。二极管:导通管的压降看做常值(,)或0V(理想二极管)。特殊二极管——稳压管(工作在反向击穿区)稳压原理:无论输入变化或负载变化,月1起的电流变化都加于稳压管上,使输出电压稳定。双极性晶体管(BJT)集电区:面积较大,基区:较薄,掺杂浓度低,发射区:掺杂浓度较高。要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。双极性晶体管输岀特性三个区域的特点:放大区:发射结正偏,集电结反偏。饱和区:发射结正偏,集电结正偏。截止区:发射结、集电结均反偏。双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。场效应管有两种:结型场效应管JFET;绝缘栅型场效应管MOSN沟道增强型N沟道耗尽型P沟道增强型P沟道耗尽型耗尽型与增强型的区别在与Ugs=O时是否有导电沟道。耗尽型的MOS管%二0时就有导电沟道,加反向电压才能夹断。基本放大电路输入电阻是衡量放人电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大,从其前级取得的电流越小,对前级的影响越小。即:口越大,h就越小,山就越接近Us.—般总是希望得到较大的的输入电阻。非线性失真:饱和失真,截止失真。避免非线性失真,要合理设置静态工作点。射极输出器(共集电极电路):输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。射极输岀器输入电阻较大,作为前一级的负载,对前一级的放大倍数影响较小且取得的信号大。输出电阻很小,带负载能力强。(所谓带负载能力强,是指当负载变化时,放大倍数基木不变。)射极输出器接在多级放大电路的首级可提高输入电阻;接在末级可减小输出电阻;接在中间级可起匹配作用,从而改善放大电路的性能。放大电路中的负反馈负反馈的作用:稳定静态工作点;稳定放大倍数;提高输入电阻;降低输出电阻;扩展通频带。负反馈的类型反馈:把输出回路的电量(电压或电流)馈送到输入回路的过程。根据反馈所采样的信号不同,可以分为电压反馈和电流反馈。电压反馈:反馈信号取自输出电压信号。可以稳定输出电压、减小输岀电阻。电流反馈:反馈信号取自输出电流信号。可以稳定输出电流、增人输出电阻。根据反馈信号在输入端与输入信号比较形式的不同,町以分为串联反馈和并联反馈。