,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。(1),称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。(2)PN结加反向电压时PN结加反向电压时的导电情况高电阻很小的反向漂移电流在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。
2.2 PN结的形成及特性 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.
