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:PN结+引线+管壳=二极管(Diode)符号:正极负极分类:按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线负极引线面接触型N型锗PN结正极引线铝合金小球底座金锑合金平面型正极引线负极、PN结的伏安方程反向饱和电流温度的电压当量电子电量玻尔兹曼常数当T=300(27C):UT=26mV第1章常用半导体器件二、二极管的伏安特性OuD/ViD/mA正向特性UthUD(on)死区电压iD=0Uth=(硅管)(锗管)UUthiD急剧上升0UUthUD(on)=()()(BR)反向击穿U(BR)U0iD=IS<A(硅)几十A(锗)U<U(BR)反向电流急剧增大(反向击穿)导通电压第1章常用半导体器件反向击穿类型:电击穿热击穿反向击穿原因:齐纳击穿:(Zener)反向电场太强,将电子强行拉出共价键。(击穿电压<6V,负温度系数)雪崩击穿:反向电场使电子加速,动能增大,撞击使自由电子数突增。—PN结未损坏,断电即恢复。—PN结烧毁。(击穿电压>6V,正温度系数)击穿电压在6V左右时,温度系数趋近零。第1章常用半导体器件硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020–––25–50iD/mAuD/ViD/mAuD/–25–5051015––:锗管比硅管易导通,硅管比锗管反向饱和电流小得多,所以硅管的单向导电性和温度稳定性较好第1章常用半导体器件温度对二极管特性的影响604020––25–50iD/mAuD/V20C90CUD(on)以(2)mV/C下降请问:为什么温度过高,将导致PN结失效?—最大整流电流(最大正向平均电流)—最高反向工作电压,为U(BR)/—反向电流(越小单向导电性越好)—最高工作频率(超过时单向导电性变差)iDuDU(BR)(等效模型)一、理想二极管模型特性符号及等效模型SS正偏导通,uD=0;反偏截止,iD=0U(BR)=二、二极管的恒压降模型uDiDUD(on)uD=UD(on)(Si)(Ge)UD(on)uDiD第1章常用半导体器件