半导体名词解释.doc

ACTIVEAREA主动区(工作区)主动晶体管(ACTIVEFRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(activearea)在标准之MOS制造过程中ACTIVEAREA是由,一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOSOXIDATION)所形成的,(BIRD’SBEAK)' ,:无色,:在FAB内之用途,主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭4﹒毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。5﹒允许浓度:1000ppm ADI显影后检查AfterDevelopingInspection之缩写目的:检查黄光室制程;光阻覆盖®对准®曝光弓显影。发现缺点后,如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。方法:利用目检、显微镜为之。 ,在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后,分别对产品实施主检或抽样检查。:2-1提高产品良率,避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针。2-4防止异常扩大,,非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高,以及良率降低之缺点。 AirShower空气洗尘室进入洁净室之前,须穿无尘衣,因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃,故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。 Alignment对准目的:在IC的制造过程中,必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案,对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。方法:利用芯片上的对准键﹒一般用十字键﹒和光罩上的对准键合对为之方式:,、电组合代替人眼,即机械式对准。 ALLOY/Sinter融合ALLOY之目的在使铝与硅基(SILICONSUBSTRATE)之接钢有OHMIIC特性,即电压与电流成线性关系。ALLOY也可降低接触的阻力值。 AL/SI铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用AR游离的离子,让其撞击此靶的表面,把AL/SI的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,一般使用之组成为AL/SI(1%),将此当做组件与外界导线连接。  AL/SI/CU铝/硅/铜金属溅镀时所使用的原料名称,一般是称为TARGET,%铜,1%%铝,一般制程一般是使用99%铝1%(ELECTROMIGRATION)%铜降低金属电荷迁移 ALUMINUM铝此为金属溅镀时,所使用的一种金属材料,利用AR离子,让其撞击此种材料做成的靶表面﹒把AL原子撞击出来,而镀在芯片表面上,将此做为组件与外界导线之连接。 ANGLELAPPING角度研磨ANGLELAPPING的目的是为了测量JUNCTION的深度,所作的芯片前处理,这种采用光线干涉测量的方法就称之ANAGLELAPPING。公式为Xj=l/NF,即JUNCTION深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小,准确度及精密度都无法因应,如SRP(SPREADINGRESISTANCEPRQBING)也是应用﹒ANGLELAPPING的方法作前处理,采用的方法是以表面植入浓度与阻质的对应关系求出JUNCTION的深度,精确度远超过入射光干涉法。 ANGSTROM埃是一个长度单位,其大小为1公尺的佰亿分之一,约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常见于IC制程上,表示其层(如SiO2,POLY,SIN‥)厚度时用。 APCVD(ATMOSPRESSURE)常压化学气相沉积APCVD为ATMOSPHERE(大气),PRESSURE(压力),CHEMICAL(化学),VAPOR(气相)及DEPOSITION(沉积)的缩写,也就是说,反应气体(如SIH4(g),PH3(g),B2H6和O2(g))在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物(如BPSG)于芯片上。 。由33个质子﹒42个中子及75个电子所组成。.半导体工业用的砷离子(As+)可由AsH气体分解而得到。.As是N-ty