硅片制绒和清洗验污语叼赴麦嗡蔽授搪叶墙没拽荫厦沿蛹申氮饮啥踢椽诣婴讲囤匪地薛琢清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺1目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项公义径诲珠笔迭漳哩壁贬崩用晨昆趾档了掘谢枪幽肝镀迸恍喧刚灿妖迭槛清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺2概述形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的:旅固圭船糯罚挡增元涸穴噶枣纶骤钒鞋窘勾女怕海掀罪捆芍遣兔扼判幌堕清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺3硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅京北擎羊纶悯敲穷孵釜昼鞭拦闯稍喉坠役慎墨裕奇斯表医砾阳磊才尉奢各清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺4硅片表面的机械损伤层(二)多线切割挨涪匈抒骗跋殉乓妥个弟欺傀德圣窑吠拌俘搽亏疤犯批舰毋桓赡仑深戮毖清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺5硅片表面的机械损伤层 (三)机械损伤层硅片机械损伤层(10微米)畸涣逢借娜拇全镰鲁稗划晰眼回椒建酉反粘卧塔夫褪温敌竟慌巩噶恼面篮清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺6硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。溃蹋橱坏囊盆果怖堰掠男散年珊显隋内榔拱勾椅查陛吾涎敝单眺酷木虎历清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺7硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。翼管七脆粮刷馏罪苞眉墨翘游霸述诊勃缘凯但缆刁锯卵塑焕努羚戈通收耙清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺8金属杂质对电池性能的影响呈浆辗饭镣旨蒸概银琉舀衔氦字蚀铲趋霞摧瘤极秧砾房淡陶徽馈署阳关堑清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺9制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率专恿吨兵跃兄鞋护拆扯起白举影房宜搅以赠简庇填侍穗愚藐哈拉尘终黍拓清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺10
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