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,VDD,VEE,Vcc的区别说法一:VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料而定。VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。它们是这样得名的:VCC表示连接到三极管集电极(C)的电源。VEE表示连接到三极管发射极(E)的电源。VDD表示连接到场效应管的漏极(D)的电源。VSS表示连接到场效应管的源极(S)的电源。和VDD为电源正,而VEE和VSS为电源负或者地。说法二:VDD,VCC,VSS,VEE,VPP区别VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。详解:在电子电路中,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压:VCC:C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压,D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,>Vdd!VSS:S=series表示公共连接的意思,也就是负极。和VDD,这种器件带有电压转换功能。在“场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚,这是元件引脚符号,它没有“VCC”的名称,你的问题包含3个符号,VCC/VDD/VSS,这显然是电路符号。,TTL电平:输出高电平>,输出低电平<。在室温下,,。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=,输入低电平<=,。2,CMOS电平:1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3,电平转换电路:S的高低电平的值不一样(ttl5v<==>),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。5,S电路比较:1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),S电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),S电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。S电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。S的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。防御措施:1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,S电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,S电路的电源。S电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/。S的输入电流超过1mA,S。7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。S门电路就不用考虑这些了。8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过