霍尔效应法测量磁场.doc

:..霍尔效应测磁场霍尔效应是导电材料中电流与磁场相互作用而产生电动势效应。1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场磁传感器,但因金属霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料与制造工艺发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它霍尔效应显著而得到实用与发展,现在广泛用于非电量测量、电动控制、电磁测量与计算装置方面。在电流体中霍尔效应也是目前在研究中“磁流体发电”理论基础。近年来,霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统输运特性,在低温与强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。在磁场、磁路等磁现象研究与应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。【实验目】—Is,了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间关系。。“对称交换测量法”消除负效应产生系统误差。【实验原理】霍尔效应从本质上讲,是运动带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流与磁场方向上产生正负电荷在不同侧聚积,从而形成附加横向电场。如图13-1所示,磁场B位于Z正向,与之垂直半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反X负向运动。由于洛仑兹力fL作用,电子即向图中虚线箭头所指位于y轴负方向B侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对A侧形成正电荷积累。与此同时运动电子还受到由于两种积累异种电荷形成反向电场力fE作用。随着电荷积累增加,fE增大,当两力大小相等(方向相反)时,fL=-fE,则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立电场称为霍尔电场EH,相应电势差称为霍尔电势VH。设电子按均一速度,向图示X负方向运动,在磁场B作用下,所受洛仑兹力为:式中:e为电子电量,为电子漂移平均速度,B为磁场磁感应强度。同时,电场作用于电子所受电场力为:式中:EH为霍尔电场强度,VH为霍尔电势,l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时: (13-1)设霍尔元件宽度为l,厚度为d,载流子浓度为n,则霍尔元件工作电流为(13-2)由(13-1)、(13-2)两式可得: (13-3)即霍尔电压VH (A、B间电压)与Is、B乘积成正比,与霍尔元件厚度成反比,比例系数RH=1/ne称为霍尔系数(严格来说,对于半导体材料,在弱磁场下应引入一个修正因子A=3π/8,从而有RH=(3π/8)﹒1/ne),它是反映材料霍尔效应强弱重要参数,根据材料电导率σ=neμ关系,还可以得到:或(13-4)式中:μ为载流子迁移率,即单位电场下载流子运动速度,一般电子迁移率大于空穴迁移率,因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。当霍尔元件材料与厚度确定时,设:(13-5)将(13-5