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Copyof二极管电子教案.ppt半导体二极管半导体基本知识PN结的形成及特性主要参数二极管应用电路公司产品讲解概述+-。(1)本征半导体是完全纯净的半导体;本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体(2)两种杂质半导体:N型---掺入微量五价元素;P型---掺入微量三价元素。(3)两种浓度不等的载流子:多子---由掺杂形成,少子---由热激发产生。(4)一般情况下,只要掺入极少量的杂质,所增加的多子浓度就会远大于室温条件下。所以,杂质半导体的导电率高。(5)杂质半导体呈电中性。(1)漂移运动---载流子在外加电场作用下的定向移动。(2)扩散运动---因浓度梯度引起载流子的定向运动。---+++内电场NPI外电场内电场I外电场---------+++++++++NP外加正向电压→多子向PN结移动,空间电荷区变窄,内电场减弱→扩散运动大于漂移运动→正向电流。 外加反向电压→多子背离PN结移动,空间电荷区变宽,内电场增强→漂移运动大于扩散运动→反向电流。 当温度一定时,少子浓度一定,反向电流几乎不随外加电压而变化,故称为反向饱和电流。(1)正向特性(外加正向电压) 当正向电压超过某一数值后,二极管才有明显的正向电流,该电压值称为导通电压,用Vth表示。在室温下,。(2)反向特性(外加反向电压) 在反向电压小于反向击穿电压的范围内,由少数载流子形成的反向电流很小,而且与反向电压的大小基本无关。(3)反向击穿特性 当反向电压增加到某一数值VBR时,反向电流急剧增大,这种现象叫做二极管的反向击穿。-I特性反向击穿特性PN结击穿有齐纳击穿、雪崩击穿及热击穿。齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿,电压降低后PN结完好如初。齐纳击穿很好的用途就是稳压。热击穿是指温度超过了PN结的允许温度发生了物理性的击穿,温度恢复后PN结要么性能改变、要么彻底损坏。电击穿不加电流限制就会同时发生热击穿,PN就是这样损坏的。结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。耗尽区越宽需要越高的击穿电压。掺杂的越轻,耗尽区越宽,击穿电压越高。,正偏时扩散电容为主,------------++++++++++++(1)限幅电路---利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成,将信号限定在某一范围中变化。多用于信号处理电路中。(2)箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。(3)开关电路---利用二极管单向导电性以接通和断开电路,广泛用于数字电路中。(4)整流电路---利用二极管单向导电性,将交流信号变为直流信号,广泛用于直流稳压电源中。(5)低电压稳压电路---利用二极管导通后两端电压基本不变的特点,采用几只二极管串联,获得3V以下输出电压