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工作报告收获体会.doc工作报告收获体会篇一:学术报告收获体会此次孙宏斌教授的报告主题是能源互联X,孙教授从OSFET,功率MOSFET具有理想的栅极绝缘特性、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性;,SiCJFET是碳化硅结型场效应管,具有导通电阻低、开关速度快、耐高温及热稳定性高等优点。 SiC双极型器件:,与传统SiBJT相比,SiCBJT具有更高的电流增益,更快的开关速度及较小的温度依赖性,不存在二次击穿问题,并且具有良好的短路能力;,SiCMOSFET的通态电阻随着阻断电压的上升而迅速增加。在高压领域,SiCIGBT将具有明显的优势;3)SiCGTO,在大功率开关应用中,晶闸管以其耐压高、通态压降小及通态功耗低而具有较大优势。近年来随着能源危机的加重、节能减排的需要以及一些高端电能变换的要求,国际上研究GaN器件的热点逐渐转向应用于电能变换领域的GaN电力电子器件。宽禁带半导体材料GaN具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场大和化学性质稳定等特点。因此基于GaN材料制造的电力电子器件具有通态电阻小、开关速度快、高耐压及耐高温性能好等特点。与SiC材料不同,GaN除了可以利用GaN材料制作器件外,还可以利用GaN所特有的异质结结构制作高性能器件。GaN可以生长在Si、SiC及蓝宝石上,由于在价格低、工艺成熟且直径大的Si衬底上生长,GaN具有低成本、高性能等。当前,硅半导体器件应用广泛,从高技术应用领域到传统产业,特别是一些重大工程如三峡、特高压、高铁、西气东输等,乃至照明和家电等,都起到了至关重要的作用。由此可见,硅电力电子器件待开发的应用空间仍旧十分广阔,市场前景仍较好。但是,硅电力电子器件本身的技术、制造工艺发展空间已经不太大了。而SiC和GaN宽禁带电力电子器件则由于其突出的优势,代表着电力电篇四:学术报告收获体会融创中国我在香港市场最看好的一家中小市值地产公司,去年曾在2元、、。4月18日公布了年报,以下是我对该家公司的一个简要分析。说起融创中国就不得不说孙宏斌,这个几起几落的男人,就像当年贝恩资本投资融创中国时所说的“他们是在投资一个东山再起的故事”一样。我也和大多数人一样先知道孙宏斌后知道融创中淡的,而他已经犯了足够多的错误。而且从融创的发展过程中可以看出他已经充分吸取了当年的教训,进取而不失稳健。专注于受地产调控较小的高端地产,专注于北京、天津、重庆、苏南四个地区、专注于精品的打造,地产行业作为一个资金密集型的传统行业,老板的个人特质毫无疑问会对公司的发展产生巨大的影响。,相比去年增长59%,略高于之前50%的预期。,同比增长54%。公司2011全年实现合约销售金额约192亿人民币,远超过年初180亿的销售目标,实现同比增长130%。主要得益于前几年积累项目的在去年的大幅放量以及西山一号院的在下半年的耀眼表现。这是公司聚焦在四个区域中的6个城市,仅有14个在售项目的情况下取得的,(且其中6个项目为下半年开盘销售),2012年的推盘项目预计为18个。物业销售增加主要由于公司2011年交付的物业的每平方米平均售价由二零一零年的每平方米人民币9,267元上涨52