手机外围电路详细介绍.ppt

MTK电路原理分析MTK使用的是6229的BB芯片,Transceiver使用的是MT6140,PA为3159芯片6229和6230的区别为CAMERA的支持像数,6229支持200万像数,6230只支持30万像数6229和6226,6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持EDGE,并且6229的主频为104MHZ,相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处理速度快了许多,所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持W-Fl。,OTG的数据线规范要求不能大于20CM,如果过长会对信号有较大的衰减和反射。6229也使用的是32768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。(实时时钟)晶振,,可以很方便的分频,很精确的得到一秒的计时。。在手机电路中还有一主时钟,一般为13MHz或是其倍频。之所以选用13M这样的时钟是为了与基站同步MTK存储器MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。NOR+NAND存储器采用NOR来存储BOS代码,采用NAND存储代码(操作系统和应用软件)和数据,易失性RAM被用来存储执行代码时的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来执行存储在NAND中的操作系统和应用软件混合存储器采用SRAM和NAND,采用NAND作为非易失性存储器,所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从NAND引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR,因此可降低总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但是,这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需要主机上有支持请求调页的先进操作系统。losetoBasebandM|C电路分析MICBIASP和MICBIASN为MC电路的正负两路偏置电压,一般为24V-27V左右的电压C204,C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电容如果有Dcs1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容,如果有WF124GHZ的干扰则使用82PF的电容C206主要是抑制共模信号C201,c202为100NF电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使PA饱和,产生信号偏移主要滤除100Hz以下的电流。B201,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰MC偏置电流流向为从MCB|ASP-M|CB|ASN,而不用公共的GND,主要是因为GND干扰太大。磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果MC内部结构CI=HOpfC2=33PFRL==·Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以我们要Mc电路要采集的数据是Mic两端电压的变化CP就是那颗能根据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管放大信号,C1C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。耳机电路:-190K上拉电阻,典型值为75K2-,A点断开,所以B点处于高电平,二极管截至,C处为高电平,所以EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。当插入耳机时,由于耳机一般为64欧姆,32欧姆,或者16欧姆(MTK使用的为32欧姆)相对于100K欧姆,,二极管导通,+=,EⅠNT值为低电平,BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需要满足下面另一个条件MICBIOSMICBIOSXMICADCADC若满足1ADC>1V,。则表示耳机为插入小十RightLeftmcgnd若只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上,然后XMIC信号直接连接GND,ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要这个动作了,但是手机研发还是保留了这个信号未删除,以免出现问题。MP3电路SSDMTK使用的一个D类功放,电容C243c244C245作用同前面MC电路介绍的三个电容,主要是为了消除900MHz和1800MHZ的高频噪音以及共模干扰。ⅤBAT经过电感L204的过滤消除杂讯,并且加了一个33pf的电容以消除高频噪音。其PA的功率为7-8倍左右,其计算方式为PA外面的电阻R255