LIGBT审稿.doc

LIGBT 审稿----------------------------------------- 退修意见如下--------------------------------------------- 一、第一审稿人外审意见: 在高压器件中,如 LDMOS 和 DDMOS 器件等, 在高压阱下加一个悬浮的区域来提高击穿电压是已有的做法,就和加场限环来减小表面层电场,提高表面击穿电压类似,在高压器件有类似的一些专利和文章。本文提出了一种新的 LIGBT 结构, NR-IGBT ,这个结构是在 p 型衬底上增加了一个 N-region ,并将其与常规结构相对比,得到由于这个浮空 n 型电荷区的电场调制作用,增加了器件的击穿电压和电流,降低了关断时间,在前人基础上有一定的改进。审稿人提出以下几点请作者考虑: 1. 在介绍新器件结构并与常规结构相对比时, 可以把表格里的 Td和 Tn 也在图上得以表现,更方便读者阅读; 2. 因文中 和 图结论很重要,是以下各种推论的前提条件, 但这里器件的模拟环境不太清楚, 可以适当说明下这时器件的工作状况; 3. 中可以加入 Ld 来表示 dirft region length ,比较直观; 4. 在论文的第 3 部分讨论器件 on state 工作情况时, 对比器件选择的是 NR-IGBT 的 Ld=60um , BV=895V , C-IGBT 的 Ld=100um , BV=870V , 这样选择的理由放到 后才说明, 可以提前到 之前, 逻辑比较清楚; 5. 结论中 breakdown voltag e从 870 V 提升到了 1375 V 前文中也只是在图中有显示,解释不够清楚。审稿评价: 选题意义:关键技术创新性:在前人基础上有一定的创新学术水平:水平一般技术水平:有一定改进参考价值:一般审稿人审稿结论:修改后复审二、第二审稿人外审意见: 本文基于 4μm 漂移区厚度提出一种具有衬底浮空 n 型电荷区的新型 LIGBT ( NR-LIGBT )。由于 n 型电荷区的电场调制作用,器件的纵向击穿特性得到加强, 击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场, 因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明:在相同的 100 μm 漂移区长度下,新结构的击穿电压比常规结构( C-LIGBT ) 提高了 58%。并且, 在相同的阻断能力下,新结构的开关速度快于常规器件。但论文中的一些方面需要改进: (1 )论文的创新性有待提高。文中提出一种具有衬底浮空 n型电荷区的新型 LIGBT ( NR-LIGBT ),但衬底浮空 n 型电荷区的引入, 已在相关文献中进行了报道, 如作者的参考文献 6和7等, 本论文只是将 N 型浮空埋层用于 LIGBT 而已。(2 )论文的理论分析不够深入,仿真过程交代的也不够详细。如论文中对 LIGBT 关断特性的分析, 并没有给出 LIGBT 的的关断特性仿真电路, 读者不知道在什么样的负载条件进行的 LIGBT 器件的关断特性仿真, 而仿真中的 LIGBT 器件的相关参数给出的也不完整, 因此仿真结果不具说服力。(3 )作者摘要中提及“新结构的开关速度快于常规器件”,而论文只是给出了器件的关断特性(