第四章晶体管频率特性与功率特性.ppt

晶体管的频率特性与功率特性
第 4 章
晶体管的频率特性
高频等效电路
高频功率增益和最高振荡频率
晶体管的大电流特性
晶体管的最大耗散功率PCmT
功率晶体管的二次击穿和安全工作区
高频大功率晶体管的图形结构
第四章晶体管频率特性与功率特性
● —— 本章重点
 晶体管的频率特性
 晶体管的功率增益和最高振荡频率
晶体管的大电流特性
晶体管的二次击穿
 晶体管的安全工作区
第四章晶体管频率特性与功率特性
在交流工作状态下，P-N结的电容效应将对晶体管的工作特性产生影响。
当频率升高时，晶体管的放大特性要发生变化，使晶体管的放大能力下降。
当晶体管的放大能力下降到一定程度时，就无法使用，这就表明晶体管的使用频率有一个极限。
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主要的高频参数
截止频率
特征频率
高频功率增益
最高振荡频率
第四章晶体管频率特性与功率特性
晶体管的频率特性
第四章晶体管频率特性与功率特性
α截止频率 （共基极截止频率）
表示共基极短路电流放大系数的幅
值|α|下降到低频值α0的1/ 时的频率。
即 = 时，|α|=α0/ 。
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β截止频率
表示共发射极短路电流放大系数的
幅值|β|下降到低频值β0的1/ 时的频率。

即 = 时，|β|=β0/
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反映了电流放大系数β的幅值
|β|随频率上升而下降的快慢，
但并不是晶体管电流放大的频率极限。
晶体管电流放大的频率极限是后面将要讲到的特征频率。
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特征频率
表示共射短路电流放大系数的幅值
下降到|β|=1时的频率。

它是晶体管在共射运用中具有电流放大作用的频率极限。
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从图可以看出，上述几个频率参数间有如下关系
且 很接近
当工作频率满足 关系时，
|β|随频率的增加，按-6dB/倍频的速度下降。
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