模拟电子线路期末试题及其答案(两套).docx

模拟电子技术基础（一）》期末试题〔 A〕
一、填空题（ 15 分）
1?由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
双极
性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
从信号的传输途径看，集成运放由
、 这几个部分组成。
某放大器的下限角频率L，上限角频率H ,贝U带宽为 Hzo
共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其
的特点以获得较高增益。
在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大
倍数要略大于 才能起振。
电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的
输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
直流稳压电源的主要组成部分是
、单项选择题（ 15 分） 当温度升高时，二极管反向饱和电流将
]
]
]
]
]
]
A增大 B减小 C不变 0
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 _ A非饱和区B [饱和区零C截止区
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 A 电阻阻值__有 误 差 0B
C晶体管参数受温度影响 D D击穿区
差动放大电路的主要特点是 0
A有效放大差模信号，有力抑制共模信号； C晶体管参数模信散性有力抑制差模
信号；互补输出级采用射极输出方式是为了使 受输电压放大倍化的影响C输出电阻增大
集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A 可获得较高增益 C 在集成工艺中难于制 [
造大电容 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降b既原放大差模信号。又放大共模信号
5. A耦合电容和旁路电容的影响 C晶体管的非线性特性
D既抑制差模信号」又抑制共模信号。 B晶体管极间电容和分布电容的影响 DB放大电路的小争态工作点设置不合适
6.
D 带负载能力强
0
B 可使温漂变小
D可以增大输入电阻
7.
]
8■当信号频率等于放大电路的f L和f H时，放大倍数的数值将下降到中频时的
A 倍 B 倍 C
在输入量不变的情况下，若引入反馈后
A 输入电阻增大 B 输出量增大
倍 D 倍 [ ] ，则说明引入的是负反馈。 [ ]
C净输入量增大 D净输入量减小
带通滤波器所对应的幅频特性为
A>
Awiax
▲
B、 a Av
A VMAX
4 Av
o
o
: 4
A
t Av
A VMAX 卜
丄
0
D>
、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。
(12
\ <H1l
C2
Vout
(A)
(C)
四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。 (8分)
(A)
(B)
五、综合题(50分)
(6分)稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压
值为 Vz=6V ,稳定电流范围为lz = 5?
20mA额定功率为 200mW限流电阻 R=500。试求:
当 V 20V R 1K 时，Vo ?
(2)当 V 20V , FL 100
Vi
Dz
RL
2、
(14分)单级放大电路如图：在输入信号的中频段
R=150KQ F2=150KQ FC= Fe=2K
F、6=5PF (即 Cbc)、fT=100MH、VBe= 试求:
放大电路的Q点参数；
画出交流小信号等效电路，
求A ,R ,Ro的值；
C1、C2、C3对交流短路， 已知：Vcc=12V、
Q、Rl=10KQ、B =100、C1=C2=C3=10
、rbb =200 Q,
求电路上限频率fH；
若a断开，将对Q点，AV,R,Ro
产生何种影响？
(10分)OCL功率放大电路如图，其中 A为理想 运放。
已知 ll * * VCES1 VVCES2 1V, R_=8Q
(1)求电路最人输出功率PoMAX
'2)求电路电汗放大倍数
Rf
4、 （10分）判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性 地作
出VOi，V02处的波形。DZi, Dz2的稳压值均为VZ （注：各运放为理想运放，已加 电）.
5、（ 10分）如图所示电路中，开关S可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设 T仃2工作
在放大区（忽略其直流偏置），甩二FC2=2KQ,R=2KQ, F3=10KQ,Fbi =R）2=2KQ, Fe= Q, Ff=10KQ,B i =B 2=100, r bei =rbe2=1kQ试求：⑴ 当S