第四章场效应管及其基本放大电路一、场效应管二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法三、场效应管放大电路的动态分析场效应管场效应管有三个极:源极( s)、栅极( g)、漏极( d), 对应于晶体管的 e、b、c; 有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作一. 结型场效应管符号结构示意图栅极漏极源极导电沟道栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用沟道最宽沟道变窄沟道消失称为夹断 u GS可以控制导电沟道的宽度,为什么 g-s 必须加负电压? U GS ( off ) 漏-源电压对漏极电流的影响 u GS>U GS ( off )且不变,V DD增大, i D增大。预夹断 u GD=U GS ( off )V DD的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻, i D几乎不变,进入恒流区, i D几乎仅仅决定于 u GS。场效应管工作在恒流区的条件是什么? u GD>U GS ( off )u GD<U GS ( off ) 常量?? DS)( GS DUufi夹断电压漏极饱和电流转移特性场效应管工作在恒流区,因而 u GS>U GS ( off )且u GD<U GS ( off )。 u DG>- U GS ( off ) GS(off) GS DSUuu?> 2 GS(off) GS DSS D)1(U uIi??在恒流区时常量?? GS)( DS DUufi g-s 电压控制 d-s 的等效电阻输出特性常量???? DS GS DmUu ig 预夹断轨迹, u GD=U GS ( off ) 可变电阻区恒流区 i D几乎仅决定于 u GS 击穿区夹断区(截止区) 夹断电压 I DSS Δi D不同型号的管子 U GS ( off )、I DSS 将不同。低频跨导: ---------- MOSFET Metal Oxide Semi-conduction Field Effect Transistor ,是构成 VLSI 的基本元件。二. 绝缘栅型场效应管 MOS
3、MOS管. 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.
