单元 课时计划.docx

单元 课时计划.docx单4该时针剑
（100分钟）编号一
课程 名称
模拟电子技术
授课
班级
讲次
11
授课
日期
计划在 年 月 日星期 第 讲
实际在 年 月 日星期 第 讲
章目
第3章场效应管及其基本放大电路
节目

要求
掌握单极性三极管JFET的放大机理
教具
POWERPOINT 课件
教学
方式
多媒体
教 学 重 点
JFET的结构和放大机理
教 学 难 点
特性曲线
教 学 主 要 内 容

JFET的结构
JFET的工作原理与特性曲线
备
注
教案
唐山工业职业技术学院
副页
第3章场效应管及其基本放大电路
本章主要内容:结型场效应管、绝缘栅场效应管、场效应管的主要参数、特点及使用 注意事项、场效应管基本放大电路
本章教学要求:掌握单极型半导体三极管的外特性;共源、共漏放大电路的工作原理, 静态工作点估算继永建华笑信号模型电路分析电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。熟悉 单极型半导体三极管的工作原理,主要参数及使用方法;共源、共漏放大电路的主要特点 和用途。
场效应管是一种由输入信号电压来控制其电流大小的半导体三极管,所以是电压控制 器件。根据结构不同可分为:结型场效应管和绝缘栅场效应管。
（JFET）
（JFET）的结构
结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管（符号
结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的 器件。（以N沟道结型场效应管为例）它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形 成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极g, N型硅的一端是漏极d,另一 端是源极So

一、结型场效应管的工作原理（以N沟道结型场效应管为例）
在D、S间加上电压UDS,则源极和漏极之间形成电流iD,我们通过改变栅极和源极的 反向电压UGS,就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度,这样就改变了沟道电阻,
因此就改变了漏极电流i。。
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课程
名称
模拟电子技术
授课
班级
讲次
12
授课
日期
计划在 年 月 日星期 第 讲
实际在 年 月 日星期 第 讲
章目
第3章场效应管及其基本放大电路
节目

要求
掌握单极性三极管MOSFET的放大机理
教具
POWERPOINT 课件
教学
方式
多媒体
教 学 重 点
MOSFET的结构和放大机理
教 学 难 点
特性曲线，
教 学 主 要 内 容

N沟道增强型MOSFET
N沟道耗尽型MOSFET
P '沟道MOSFET简介
备
注
唐山工业职业技术学院
教案副页

绝缘栅型(IGFED场效应管又称金属氧化物场效应管MOSFET,简称MOS管是一种 利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件,它 的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻大于它也有N沟道和P沟道两种,其中每类 又分为增强型和耗尽型两种。
N沟道增强型MOSFET
_、结构和符号
型硅上生成一层
『引出电极作为D
二、工作原理与特性曲线
1、工作原理：Ugs=。时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在D、S之间加上电压, 不管UDS极性如何,其中总有一个PN结反向,所以不存在导电沟道。当0<Ugs<UgsM开 启电压)时,但由于电场强度有限,数量有限,不足以形成沟道,将漏极和源极沟通,所 以不可能形成漏极电流iD。进一步增加UGS,当UGS>UGS(th)时,由于此时的栅极电