PN结及其单向导电特性半导体二极管的伏安特性曲线.ppt

本章重点内容
PN结及其单向导电特性
半导体二极管的伏安特性曲线
二极管在实际中的应用
三极管的结构和工作原理
三极管的放大作用
三极管的测量
     PN结
本征半导体
自由电子
a
b
c
＋4
＋4
＋4
＋4
＋4
＋4
＋4
＋4
＋4
共价键的两
个价电子
价电子
＋4
（a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生
图 、锗原子结构模型及共价键结构示意图
第1章   半导体器件
1
杂质半导体
1．N型半导体
2．P型半导体
磷原子
自由电子
＋4
＋4
＋4
＋4
＋5
＋4
＋4
＋4
＋4
电子一空穴对
N型半导体的结构
2
空穴
硼原子
＋4
＋4
＋4
＋4
＋3
＋4
＋4
＋4
＋4
电子一空穴对
P型半导体的结构
3. PN结的形成
内电场
P区 N区
P区 N区
空间电荷区
PN结的形成
3
4． PN结的单向导电特性
(1) PN结的正向导通特性
R
外电场
内电场
IR
空穴
(多数)
电子
(多数)
N
P
变薄
N
P
变 厚
IR≈0
R
外电场
内电场
电子
(少数)
空穴
(少数)
(a) 正向偏置 （b）反向偏置
PN结的导电特性
(2) PN结的反向截止特性
半导体二极管
半导体二极管的结构及其在电路中的符号
4
－
外壳
(阴极)
(阳极)
P N
阳极引线
阴极引线
VD
－
＋
(阴极)
（a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形
二极管结构、符号及外形
uv/V
0
15
10
5
（μA）
iv/mA
A
B
B′
A′
-5
IR

C′
D′
D
C
-30
-U（BR）
硅
锗
图1。.7 二极管伏安特性曲线
半导体二极管的伏安特性
5
1．正向特性
2．反向特性
3．反向击穿特性
4．温度对特性的影响
半导体二极管的主要参数
1．最大整流电流IF
2．最大反向工作电压URM
3．反向饱和电流IR
4．二极管的直流电阻R
5．最高工作频率fM
半导体二极管的命名及分类
1．半导体二极管的命名方法
6
用数字表示电极数目
用字母表示材料和极性
用字母表示类型
用数字表示序号
用数字表示规格
半导体器件的型号组成
2．半导体二极管的分类
二极管的判别及使用注意事项
1．二极管的判别（用万用表进行检测）
（1）二极管正、负极性及好坏的判断
（2）二极管好坏的判别
（3）硅二极管和锗二极管的判断
（4）普通二极管和稳压管的判别
7
2．二极管使用注意事项
几种常用的特殊二极管
1. 稳压二极管
(1)．稳压二极管的工作特性
(a) 伏安特性 （b）符号
稳压二极管的特性曲线和符号
0
IA（Izmin）
IZ
IA（Izmax）
I／mA
ΔUZ
U／V
B
A
UZ
ΔIZ
UB
UA
VD
8
(2).稳压管的主要参数
2. 发光二极管
(1)．普通发光二极管
(2)．红外线发光二极管
3．激光二极管
4 光电二极管
5 变容二极管
(a) 压控特性曲线