电池片生产工艺流程汇总.docx

电池片生产工艺流程
一、制绒

在硅片的表面形成坑凹状表面，减少电池片的反射的太阳光，增加 二次反射的面积。一般情况下，用碱处理是为了得到金字塔状绒面；用 酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面，都可以提高硅片的陷 光作用。

，硅及单纯的HF、HN03 （硅表面会被钝化，二氧化硅及HN03 不反应）认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中，硅则可以及溶液进行 持续的反应。
硅的氧化
硝酸/亚硝酸（HN02）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）
S i+4HN03=S i 02+4N02+2H20 （慢反应
3S i+4HN03=3S iO2+4NO+2H2O （慢反应
二氧化氮、一氧化氮及水反应，生成亚硝酸，亚硝酸很快地将硅氧化成二氧 化硅。
2N02+H20=HN02+HN03 （快反应
Si+4HN02=Si02+4N0+2H20 （快反应（第一步的主反应）
4HN03+N0+H20=6HN02 （快反应
只要有少量的二氧化氮生成，就会和水反应变成亚硝酸，只要少量的一氧化 氮生成，就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸，亚硝酸会很快的将硅氧 化，生成一氧化氮，一氧化氮又及硝酸、水反应，这样一系列化学反应最终 的结果是造成硅的表面被快速氧化，硝酸被还原成氮氧化物。
二氧化硅的溶解
S i 02+4HF=SiF4+2H20 （四氟化硅是气体
SiF4+2HF=H2SiF6
总反应
Si02+6HF=H2SiF6+2H20
最终反应掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液。
.清水冲洗
.硅片经过碱液腐蚀（氢氧化钠/氢氧化钾），腐蚀掉硅片经酸液腐蚀 后的多孔硅
.硅片经HF、HC1冲洗，中和碱液，如不清洗硅片表面残留的碱液，在 烘干后硅片的表面会有结晶
.水冲洗表面，洗掉酸液

制绒后的面相对于未制绒的面来说比较暗淡

奥特斯维电池厂采用RENA的设备。
二、扩散

提供P-N结，P0C13是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。P0C13液态源扩 散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优 点。

P0C13在高温下(>600℃)分解生成五氯化磷(PC15)和五氧化二磷 (P205),其反应式如下：
5Poe| 3 3PCI # P2 s
但在有外来02存在的情况下，PC15会进一步分解成P2O5并放出氯气 (C12)其反应式如下：
过量生
4PCI s + 50. j 2PQ, 4- 10CL □
在有氧气的存在时，P0C13热分解的反应式为：
4PoC1 -50, > 2PnO5 +6C1,
J / q 3 It
生成的P205在扩散温度下及硅反应，生成二氧化硅(SiO2)和磷原子，其 反应式如下：
2P,0, + 5Si = 5SiO7 + 4P，

由此可见，在磷扩散时，为了促使P0C13充分的分解和避免PC15对硅片表 面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。
P0C13分解产生的P205淀积在硅片表面，P205及硅反应生成SiO2和磷原 子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。

SEVEVSTAR扩散设备。