MgO薄膜忆阻器的制备及其阻变与瞬态特性研究.pdf

分类号 TB34 学号 14010046
ＵＤＣ 620 密级 公 开



工学硕士学位论文
MgO 薄膜忆阻器的制备
及其阻变与瞬态特性研究


硕士生姓名 殷一民
学 科 专 业 材料科学与工程
研 究 方 向 纳米材料
指 导 教 师 程海峰 研究员




国防科学技术大学研究生院
二〇一六年十一月
Resistance Switching and Transient
Performance of Memristors Prepared from
MgO Thin Films




Candidate：Yin Yimin
Advisor：Cheng Haifeng




A dissertation
Submitted in partial fulfillment of the requirements
for the degree of Master of Engineering
in Materials Science and Engineering
Graduate School of National University of Defense Technology
Changsha，Hunan，
November，2016
独 创 性 声 明
本 人 声 明 所 呈 交 的 学 位 论文 是 我 本 人在 导 师 指 导 下 进 行 的 研 究 工 作 及取 得
。
的 研 究 成 果 尽 我 所知 ， 除 了 文 中 特别 加 以 标 注和 致谢 的 地 方外 ， 论 文 中 不 包 含
其他 人 已 经发 表和 撰 写 过 的 研 究 成果 ， 也 不 包 含 为 获 得 国 防 科 学 技 术大 学 或 其 它
一
教育 机 构 的 学 位或 证 书 而 使 用 过 的 材 料 。 与 我 同 工 作 的 同 志 对本 研 究 所做 的 任
何贡 献均 已 在 论文 中 作 了 明 确 的说 明 并表 示谢 意 。
杳
学 位 论文 题 目 ： Ｍ ｇ