会计学
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IC芯片(xīn piàn)封装流程
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FOL– Back Grinding背面(bèimiàn)减薄
Taping
粘胶带
Back
Grinding
磨片
De-Taping
去胶带(jiāodài)
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils~10mils);
磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带(jiāodài)保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带(jiāodài),测量厚度;
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FOL– Wafer Saw晶圆切割(qiēgē)
Wafer Mount
晶圆安装(ānzhuāng)
Wafer Saw
晶圆切割(qiēgē)
Wafer Wash
清洗
将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序;
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;
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FOL– Wafer Saw晶圆切割(qiēgē)
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割(qiēgē)刀片):
Life Time:900~1500M;Spindlier Speed:30~50K rpm:Feed Speed:30~50/s;
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FOL– 2nd Optical Inspection二光检查(jiǎnchá)
主要是针对Wafer Saw之后(zhīhòu)在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。
Chipping Die 崩 边
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FOL– Die Attach 芯片(xīn piàn)粘接
Write Epoxy
点银浆
Die Attach
芯片(xīn piàn)粘接
Epoxy Cure
银浆固化
Epoxy Storage:零下(línɡ xià)50度存放;
Epoxy Aging:使用之前回温,除去气泡;
Epoxy Writing:点银浆于L/F的Pad上,Pattern可选;
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FOL– Die Attach 芯片(xīn piàn)粘接
芯片(xīn piàn)拾取过程:1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片(xīn piàn),使之便于 脱离蓝膜;2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片(xīn piàn),完成从Wafer 到L/F的运输过程;3、Collect以一定的力将芯片(xīn piàn)Bond在点有银浆的L/F 的Pad上,具体位置可控;4、Bond Head Resolution: X-;Y-;Z-;5、Bond Head Speed:;
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FOL– Die Attach 芯片(xīn piàn)粘接
Epoxy Write:Coverage >75%;
Die Attach:Placement<;
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FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化:
175°C,1个小时(xiǎoshí);N2环境,防止氧化:
Die Attach质量检查:
Die Shear(芯片(xīn piàn)剪切力)
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FOL– Wire Bonding 引线(yǐnxiàn)焊接
利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过(tōngguò)焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。
W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
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