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模拟电路 1 、基尔霍夫定律的内容是什么?基尔霍夫定律( Kirchhoff Law ) 基尔霍夫电流定律( KCL ): 对任一集总参数电路中的任一节点, 在任一瞬间, 流出该节点的所有电流的代数和恒为零。基尔霍夫电压定律( KVL ): 对任一集总参数电路中的任一回路,在任一瞬间,沿此回路的各段电压的代数和恒为零。 2 、平板电容公式 C= ε S/4 π kd 3 、三极管曲线特性:三极管外部各极电压和电流的关系曲线, 称为三极管的特性曲线, 又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性, 还能用来定量地估算出三极管的某些参数, 是分析和设计三极管电路的重要依据。对于三极管的不同连接方式, 有着不同的特性曲线。应用最广泛的是共发射极电路,其基本测试电路如图 Z0118 所示,共发射极特性曲线可以用描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。一、输入特性曲线: 在三极管共射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压 UBE 维持不同的定值时, UBE 和 IB 之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如图 Z0119 所示。输入特性曲线的数学表达式为: IB=f( UBE )| UBE = 常数 GS0120 GS0121 由图 Z0119 可以看出这簇曲线,有下面几个特点: (1) UBE =0 的一条曲线与二极管的正向特性相似。这是因为 UCE =0 时,集电极与发射极短路,相当于两个二极管并联,这样 IB与 UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。(2) UCE 由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移, 而且当 UCE 的数值增至较大时(如 UCE > 1V ), 各曲线几乎重合。这是因为 UCE 由零逐渐增大时,使集电结宽度逐渐增大,基区宽度相应地减小,使存贮于基区的注入载流子的数量减小,复合减小,因而 IB 减小。如保持 IB 为定值,就必须加大 UBE ,故使曲线右移。当 UCE 较大时(如 UCE > 1V ), 集电结所加反向电压, 已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去, 以致 UC E 再增加, IB 也不再明显地减小,这样,就形成了各曲线几乎重合的现象。(3 )和二极管一样,三极管也有一个门限电压 Vγ,通常硅管约为 ~ ,锗管约为 ~ 。二、输出特性曲线输出特性曲线如图 Z0120 所示。测试电路如图 Z0117 。输出特性曲线的数学表达式为: 由图还可以看出,输出特性曲线可分为三个区域: (1) 截止区:指 IB=0 的那条特性曲线以下的区域。在此区域里, 三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态,三极管失去了放大作用,集电极只有微小的穿透电流 IcEO 。(2) 饱和区: 指绿色区域。在此区域内, 对应不同 IB 值的输出特性曲线簇几乎重合在一起。也就是说, UC E 较小时, Ic 虽然增加,但 Ic 增加不大,即 IB 失去了对 Ic 的控制能力。这种情况,称为三极管的饱和。饱和时,三极管的发射给和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集一射饱和压降,用 UCES 表示。 UCES 很小, 通常中小功率硅管 UCES < ; 三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降,以 UCES 表示,硅管的 UCES 在0. 8V 左右。 OA 线称为临界饱和线( 绿色区域右边缘线), 在此曲线上的每一点应有|UCE| = |UBE| 。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管, 其集电极电流称为临界集电极电流,以 Ics 表示; 其基极电流称为临界基极电流,以 IBS 表示。这时 Ics 与 IBS 的关系仍然成立。(3) 放大区: 在截止区以上, 介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内,特性曲线近似于一簇平行等距的水平线, Ic 的变化量与 IB 的变量基本保持线性关系,即Δ Ic= βΔ IB ,且Δ Ic >> Δ IB ,就是说在此区域内,三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱,当 UCE >1V后, 即使再增加 UCE , Ic 几乎不再增加, 此时,若 IB 不变, 则三极管可以看成是一个恒流源。在放大区,三极管的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置状态。 4 、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。反馈: 是将放大器输出信号( 电压或电流) 的一部分或全部, 回授到放大器输入端与输入信号进行比较( 相加或相减),并用比较所得的有效输入信号去控制输出, 这就是放大器的反馈过程. 凡是回授到放大器输入端的反馈信号起加强输入原输入信号的, 使输入信号增加的称正反馈. 反之则反. 按其电路结构又分为: 电流反馈电路和电压反馈电路. 正反馈电路多