一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf

收稿日期: 2 0 0 7  0 9  1 8 基金项目: 国家自然科学基金资助( 6 0 4 7 6 0 4 6 , 6 0 6 7 6 0 0 9 ) 作者简介: 曹寒梅( 1 9 7 9 ) , 女, 西安电子科技大学博士研究生, E  m a i l : f l y s n o w 1 9 7 8 @ 1 6 3 .c o m . 一种结构简单的曲率补偿犆犕犗犛带隙基准源曹寒梅 1 , 杨银堂 1 , 蔡伟 2 , 陆铁军 2 , 王宗民 2 ( 1 . 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西西安 7 1 0 0 7 1 ; 2 . 北京微电子技术研究所, 北京 1 0 0 0 7 6 ) 摘要: 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源. 电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器, 而是采用负反馈技术实现电压箝位, 简化了电路结构; 输出部分采用调节型共源共栅结构, 保证了高的电源抑制比. 整个电路采用 S M I C 0 . 1 8 μ m 标准 C M O S 工艺实现, 并用 H S P I C E 进行仿真, 结果表明所设计的电路在- 4 5 ℃~ 1 2 5 ℃范围内的温度系数为 1 2 . 9 × 1 0 / ℃, 频率为 1 0 H z 时的电源抑制比为 6 7 . 2 d B . 该结构可应用于高速模数转换器的设计中. 关键词: 负反馈箝位; 带隙电压基准源; 高温度稳定性中图分类号: T N 4 3 2 . 1 文献标识码: A 文章编号: 1 0 0 1  2 4 0 0 ( 2 0 0 8 ) 0 4  0 6 2 0  0 4 犖狅狏犲犾犮狌狉狏犪狋狌狉犲犮狅犿狆犲狀狊犪狋犲犱犆犕犗犛犫犪狀犱犵犪狆狉犲犳犲狉犲狀犮犲犫犪狊犲犱狅狀狋犺犲狀犲犵犪狋犻狏犲犳犲犲犱犫犪犮犽犮犾犪犿狆狋犲犮犺狀犻狇狌犲犆犃犗犎犪狀犿犲犻 1 , 犢犃犖犌犢犻狀狋犪狀犵 1 , 犆犃犐犠犲犻 2 , 犔犝犜犻犲犼狌狀 2 , 犠犃犖犌犣狅狀犵犿犻狀 2 ( 1 . M i n i s t r y o f E d u c a t i o n K e y L a b . o f W i d e B a n d  G a p S e m i c o n d u c t o r M a t e r i a l s a n d D e v i c e s , X i d i a n U n i v . , X i  a n 7 1 0 0 7 1 , C h i n a ; 2 . B e i j i n g M i c r o e l e c t r o n i c s I n s i s t u t e o f T e c h n o l o g y , B e i j i n g 1 0 0 0 7 6 , C h i n a ) 犃犫狊狋狉犪犮狋: A n o v e l h i g h  p e r f o r m a n c e c u r v a t u r e  c o m p e n s a t e d C M O S b a n d g a p r e f e r e n c e i s p r e s e n t e d . I n s t e a d o f D