《实验三COP2016年存储器实验.》.doc

《实验三COP2016年存储器实验.》.doc实验三 COP2000 存储器实验本实验为设计性实验。【实验目的】 1 了解存储器芯片内部结构和访问时序。 2 掌握存储器扩展技术。 3 熟悉动态存储器刷新方式。【实验要求】 1 存储器芯片。 2 静态和动态存储器扩充方法。 3 COP2000 实验箱存储器 EM。【实验步骤】 1 合理选择存储器芯片。 2 扩展 4KB SRAM 和 2K ROM ,要求地址空间与 EM 不重叠。 3 实现存储器的读和写。【实验内容】一合理选择存储器芯片。二扩展 4KB SRAM 和 2K ROM ,要求地址空间与 EM 不重叠。三实现存储器的读和写。写: 连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平 1 J1座 J3座将 K23-K16 接入 DBUS[7:0] 2 RRD K11 寄存器组读使能低电平有效 3 RWR K10 寄存器组写使能低电平有效 4 SB K1寄存器选择 B 5 SA K0寄存器选择 A 6 RCK CLOCK 寄存器工作脉冲上升沿打入将 11H 写入 R0 寄存器二进制开关 K23-K16 用于 DBUS[7:0] 的数据输入,置数据 11H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 00010001 置控制信号为: K11(RRD) K10(RWR) K1(SB) K0(SA) 1000 按住 CLOCK 脉冲键, CLOCK 由高变低,这时寄存器 R0 的黄色选择指示灯亮,表明选择 R0 寄存器。放开 CLOCK 键, CLOCK 由低变高, 产生一个上升沿, 数据 11H 被写入 R0 寄存器。将 22H 写入 R1 寄存器二进制开关 K23-K16 用于 DBUS[7:0] 的数据输入,置数据 22H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 00100010 置控制信号为: K11(RRD) K10(RWR) K1(SB) K0(SA) 1001 按住 CLOCK 脉冲键, CLOCK 由高变低,这时寄存器 R1 的黄色选择指示灯亮,表明选择 R1 寄存器。放开 CLOCK 键, CLOCK 由低变高, 产生一个上升沿, 数据 22H 被写入 R1 寄存器。将 33H 写入 R2 寄存器二进制开关 K23-K16 用于 DBUS[7:0] 的数据输入,置数据 33H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 00110011 置控制信号为: K11(RRD) K10(RWR) K1(SB) K0(SA) 1010 按住 CLOCK 脉冲键, CLOCK 由高变低,这时寄存器 R2 的黄色选择指示灯亮,表明选择 R2 寄存器。放开 CLOCK 键, CLOCK 由低变高, 产生一个上升沿, 数据 33H 被写入 R2 寄存器。将 44H 写入 R3 寄存器二进制开关 K23-K16 用于 DBUS[7:0] 的数据输入,置数据 44H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 01000100 置控制信号为: K11(RRD) K10(RWR) K1(SB) K0(SA) 1011 按住 CLOCK 脉冲键, CLOCK 由高变低,这时寄存器 R3 的黄色选择指示灯亮,表明选择 R3 寄存器。放开 CLOCK 键, CLOCK 由低变高, 产生一个上升