版图中注入区和扩散区有啥区别.doc

版图中注入区和扩散区有啥区别.doc版图中注入区和扩散区有啥区别？ （转）
注：有源区：一般用 AA或者 0D表示，定义为： Definition of diffusion area
注入区：有 N+注入区和 P+注入区，一般分别用 NP和PP表示，定义为：N+（or P+）
implantation definition
版图中的diffusion 区域对应于 mask中的active 层。在标准 emos工艺中，是先形成 active
区域，然后 gate oxide,gate poly,n/p implant（n 和 p 的先后顺序不记得了 ）。implant 是在 active
之后。由于有poly的自对准，再加上 implant 区域比对应的active要稍大一点。
diff区就是离子注入时掩模板开的口
这个口可以看到四周有场氧，中间有栅氧，还有 S/D有源区
ion impla nt
|场氧 Gate 场氧|
----- 有源---- 有源——
在画版图时基本上有两种风格：
n 和p的diff 层，implant 层都要画，smic,tsmc好像就是这样子，
只画active 层和n or p implant 层，umc,csmc好像就是这样子，缺的 implant 层在 制作mask时可以通过运算得到。
总结,diffusion 对应于工艺时的 active 区域。版图时layout rule 要求怎么画就怎么画。
问：n井工艺中，画pmos管时要画有源区和 p注入区，但是器件原理上来讲，只有有源区就行 了，而有源区其实就是 p注入形成的，版图中为什么两者都有呢？不是同义重复吗？这样做的目 的是什么？谢谢！
答：工艺中，首先是形成有源区，与有源区相对应的概念是场区。场区覆盖场氧以保证寄生 mos
管的始终关断。而有源区需要生长栅氧， 形成相应的栅极。 再后面才是区别