LED芯片制作流程
报告内容
LED芯片结构
MQW=Multi-quantum well,多量子阱
LED制程工艺
步骤
内容
前段
外延片衬底及外延层生长
中段
蒸镀、光刻、研磨、切割过程
后段
将做好的LED芯片进行封装
LED三个过程：材料生长、芯片制备、器件封装。
外延片制作
衬底
外延
可用LED衬底
GaAs衬底
GaAs衬底：在使用LPE (液相磊晶)生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。
优点
晶格匹配，容易生长出较好的材料
不足
吸收光子
蓝宝石Al2O3衬底
优点
化学稳定性好
不吸收可见光
价格适中
制造技术相对成熟
不足
导电性能差
坚硬，不易切割
导热性差
SiC衬底
优点
化学稳定性好
导电性能好
导热性能好
不吸收可见光
不足
价格高
晶体品质难以达到Al2O3和Si那么好
机械加工性能比较差
吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下紫外
LED
目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE
公司。
Si衬底
优点
晶体品质高
尺寸大
成本低
易加工
良好的导电性
良好的导热性和热稳定性
不足
由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以 及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。
硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。
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