电气专业英语论文.doc

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专业英语
课程论文
院系名称： 电气工程学院 专业班级: 电气F1103班
学生XX：学号：
附 件： ；。
成绩评定：
年 月 日
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绝缘栅双极晶体管
亚历克斯问黄
(，美国弗吉尼亚州)
摘要：通过对门极可关断晶闸管的产生背景，物理构造及其根本的工作原理的进一步探讨和研究，可 以得出门极可关断晶闸管具有在门极施加负的脉冲电流使其关断的性能，并证明它是全控型器件。
关键词：门极可关断晶闸管； 工作原理； 单位关断增益； 动态特性； 静态特性；
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1 引言
在20世纪50年代创造的可控硅整流器〔SCR〕【1】是第一个被投入使用的功率半导体开关。SCR是一个闭锁装置，只有ON和OFF两个稳定状态。通过很小的门极触发电流使其从OFF状态转换成ON状态的正反响过程来启动装置。由于电子和空穴的注入，提供了强有力地电导调制，使得SCR能很好地权衡正向压降和阻断电压。另外从制造的角度看，SCR的构造很简单，因为它的门极可以被放置在一个小的区域，因此单一的SCR可以很容易地被扩展以增加设备的电流能力而没有太多的处理问题。然而可控硅不能通过门极控制其关断。
由于SCR的关断可控性的限制，门极可关断晶闸管〔GTO〕【2】后来得到开展。正如它的名称所表示的，GTO是一种通过门极控制其关断的装置。它的根本构造与SCR非常相似。然而在GTO中许多门极被放置在阴极的周围，这样在关断期间，闩锁机制可以通过门极控制来解除。因此GTO是全控型器件。到今天为止，GTO具有最高的额定功率和在阻断电压及任何全控开关导通损耗的最正确折衷。然而其动态性能很差，GTO在导通和关断时不快。它缺乏FBSOA且RBSOA较差，因此它需要缓冲器控制关断转换期间dv/dt的和导通转变期间的di/dt。
GTO晶闸管是全控型的功率半导体开关之一。它的功率应用范围从早期的低功率〔低于100W〕到数百兆瓦的高功率。一个最先进的GTO可在硅片上制成6英寸大小。，.【3】该等级高于其他全控设备等级。
GTO的静态参数很好：具有传导低损耗，高阻断电压且由于集成化本钱很低。但其动态性能很差。其关断和开通运行期间分别对dv/dt和di/dt缓冲的要求及最小量的开通和关断次数使得GTO难以使用。要提高GTO的动