求而不得,舍而不能,得而不惜,这是人最大的悲哀。付出真心才能得到真心, 却也可能伤得彻底。保持距离也就能保护自己,却也注定永远寂寞。百科名片磁控溅射原理: 电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞, 电离出大量的氩离子和电子, 电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材, 溅射出大量的靶材原子, 呈中性的靶原子(或分子) 沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响, 被束缚在靠近靶面的等离子体区域内, 该区域内等离子体密度很高, 二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长, 在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚, 远离靶材,最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径, 改变电子的运动方向, 提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片, 真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用( EXB drift )使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓, 那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在 EXB shift 机理下工作的不光磁控溅射,多弧镀靶源,离子源,等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向, 电压电流大小而已。磁控溅射的基本原理是利用 Ar一 02 混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下,被加速的高能粒子轰击靶材表面,能量交换后, 靶材表面的原子脱离原晶格而逸出, 转移到基体表面而成膜。磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好, 可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。磁控溅射(ron-sputtering) 是 70 年代迅速发展起来的一种“高速低温溅射技术”。磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后, 并不直接飞向阳极, 而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量, 使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收, 避免高
磁控溅射原理 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.
