电子技术基础电子教案.doc

电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
第一章　半导体的基础知识
第一节 半导体二极管
教学目的：1、了解半导体材料
　 　2、知道ＰＮ结的特性
3、了解晶体二极管的结构和工作极小（几乎为零),这一部分称为死区,相应的A(Ａ′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压。如上图中OA(ＯA′)段。
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
死区电压:硅管约为０．5V,
当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。正向导通压降：~,～。（A′B′)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PＮ结。
:二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IＲ，见上图中OC(OC′）段。
３、二极管的击穿特性
反向击穿：二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBＲ表示,如C′Ｄ′)段。
三）、二极管的主要参数
1. 最大整流电流IF
2．　最大反向工作电压 URM
ﻩ
本课小结:
1．ＰN结是组成半导体二极管和其他有源器件的重要环节。
2．当PN结加正向电压时正向偏置时的情况，加反向电压时反向偏置的情况。
。
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
４、二极管的重要特性是单向导电性。
５、二极管的主要参数有最大整流电流、最大反向电压和最大反向电流。
练习题与作业题：
1、思考题:PN结在什么情况下正偏?什么情况下反偏?
２、作业题：PN结为什么具有单向导电性?
3、《电子技术基础》教材Ｐ20　1-５。
第二节 　半导体三极管
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
教学目的:了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数。
教学重点：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数。
教学难点：输入输出特性曲线、电流放大作用。
教学方法与手段：教师讲授与学生练习、实验实训相结合;板书与多媒体课件相结合。
课时计划：4课时

 结构组成：由两个PN结、3个杂质半导体区域和三个电极组成，杂质半导体有Ｐ、N型两种。
三个区:基区－--很薄。一般仅有1微米至几十微米厚．
发射区---发射区浓度很高。
集电区-－－集电结截面积大于发射结截面积。
两个PＮ结:发射结－--为发射区与基区之间的PN结。
集电结---为集电区与基区之间的PＮ结。
三个电极：发射极e、 基极b和集电极c; 分别从这三个区引出的电极。
三个区组成形式:有NPN型和PNＰ型两种。。
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
NＰN型　　 晶体三极管的结构图及表示符号PNＰ型
三极管种类:
按基片材料分-－-硅管,目前国内生产硅管多为NPN型（３Ｄ系列)；
　 　 锗管，目前国内生产锗管多为PＮP型（3Ａ系列)。
按频率特性分-－-高频管和低频管。
按功率大小分---大功率管、中功率管和小功率管等。
按组成形式分---有ＮＰN型和PＮP型两种。实际应用中采用NPN型三极管较多。
PNP型和NPＮ型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同,　这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。
二、电流放大原理
（1）产生放大作用的条件
内部：a)发射区杂质浓度>>基区>>集电区
　 　 　 b)基区很薄
外部：发射结正偏,集电结反偏
(２)三极管内部载流子的传输过程
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
电子技术基础电子教案
a）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE
b)电子在基区中的扩散与复合,形成基极电流 ｉＢ
ｃ）集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 ＩC
（３)电流分配关系：
　 　 　IE　＝ IＣ + ＩB　
1)发射区向基区发射电子的过程　
　 　２）电子在基区的扩散和复合过程
　 3)电子被集电区收集的过程
　
三极管的电流放大作用：
实验表明IC比IＢ大数十至数百倍,因